RUSmicro

🇷🇺 Химия для микроэлектроники. Бромид водорода. Россия

В Томске начнут производить бромистый водород

Инжиниринговый химико-технологический центр (ИХТЦ) совместно с Томским государственным университетом (ТГУ) завершил разработку и создание установки для производства высокочистого бромида водорода (HBr) чистотой 5N (99,999%). Это первый в России проект по выпуску данного стратегически важного вещества, необходимого для производства современных микросхем.

Сверхчистый бромид водорода применяется в микроэлектронике как технологический газ для плазмохимического (RIE/ICP) травления кремния, поликремния и родственных материалов. Высокая чистота HBr критична для снижения дефектности и предотвращения паразитного загрязнения при формировании субмикронных структур.

Первые 100 килограммов российского бромида водорода высокой чистоты для микроэлектроники планируется поставить на российские предприятия в первом полугодии 2026 года. Томский ИХТЦ - единственный в России производитель этого стратегически важного вещества.

Ключевое преимущество HBr перед другими травильными газами — исключительно высокая селективность травления. Согласно патентной документации, использование HBr обеспечивает селективность травления поликремния к оксиду кремния на уровне 100:1, а к фоторезисту — 60:1. Для сравнения, традиционное травление с использованием хлора (Cl₂) дает селективность лишь 30:1 к оксидам и около 3:1 к фоторезисту.

Проект выполнен по заказу Министерства промышленности и торговли Российской Федерации. Общий объем финансирования составил 260,5 млн рублей. Годовая производительность предприятия: до 650 кг конечного продукта.

Запуск российского производства происходит на фоне активного роста глобального рынка высокочистого HBr. Объем мирового рынка HBr в 2025 году составил $174 млн. Прогноз на 2032 год — $272 млн со среднегодовым темпом роста 6,7%.

Доминирующие позиции занимают международные корпорации: Resonac, Air Liquide, Adeka, Nippon Sanso, Linde. Китайские производители активно наращивают свое присутствие на глобальном рынке. Ключевые производители фокусируются на разработке сверхвысокочистого (5N) HBr для полупроводникового применения. Например, в июле 2025 года китайская Tianjin Greenling Gas запустила завод мощностью 1000 тонн полупроводникового HBr чистоты 99.999%.

Месяцем ранее Томский ИХТЦ сообщал также о запуске производства сверхчистого трибромида бора.

@RUSmicro / MForum.ru

🇷🇺 Производство оптоволокна. Регулирование. Проблемы. Россия

Минпромторг экстренно смягчает требования к оптоволоконным кабелям из-за остановки единственного завода и ценового шока

Минпромторг предложил скорректировать критерии отнесения волоконно-оптических кабелей (ВОК) к российской промышленной продукции (ПП №719). С 1 июня 2026 года российским будет считаться кабель, произведенный в РФ из зарубежного оптического волокна. Это вынужденная и временная мера, связанная с остановкой единственного в ЕАЭС завода «Оптико-волоконные системы» (ОВС) в Мордовии и критическим ростом цен на китайское оптоволокно.

Чтобы избежать усугубления проблем отрасли, регулятор предлагает временно разрешить использовать импортное оптоволокно (преимущественно китайское) при производстве кабелей на территории РФ. При этом производители должны самостоятельно обеспечивать скрутку, наложение брони и оболочки - эта часть производства остается локализованной.

Мера временная, с 1 января 2028 года вернется требование к использованию оптического волокна, произведенного в России или странах ЕАЭС. К этому сроку в России либо восстановят производство на ОВС, либо построят новое предприятие, либо производители кабеля должны будут найти поставщиков волокна в странах ЕАЭС.

Дополнительную сложность ситуации придает беспрецедентный рост цен на оптоволокно из Китая. С начала 2026 года китайские поставщики подняли цены для российских покупателей в 2,5–4 раза. В начале 2025 года волокно G.652D стоило 16 юаней (около 180 рублей) за 1 км, к концу года — 25 юаней (около 280 рублей), а в январе 2026-го достигло 40 юаней (около 440 рублей) за 1 км.

Среди причин роста - глобальный дефицит оптоволокна вызван бумом искусственного интеллекта и строительством дата-центров по всему миру. Кроме того, резко вырос спрос со стороны оборонной промышленности - в 2025 году Россия потребила 10,5% мирового производства оптоволокна, хотя ранее ее доля не превышала 1%. Гражданская потребность российских кабельных предприятий – порядка 2 млн км в год. Мощность ОВС могла "закрыть" эту потребность, пока завод работал.

Таким образом, регуляторная часть проблем оперативно смягчена. А вот ситуацию с ценами в ближайшей перспективе нормализовать вряд ли получится.

@RUSmicro / MForum.ru

🇷🇺 Образование. Микроконтроллеры. Россия

Предприятия ГК Элемент внедряют отечественные микросхемы в образовательный процесс

Воронежский НИИ электронной техники (ГК Элемент) расширяет использование своей продукции в образовательной среде – компания интегрировала свой 32-разрядный RISC-микроконтроллер К1921ВГ015 в практику обучения Челябинского государственного университета (ЧелГУ). Уже несколько тысяч студентов познакомились с этим микроконтроллером.

Студенты ЧелГУ с нового учебного года используют микроконтроллер для лабораторных работ и практикума по периферийным блокам и ядру. Ранее в обучении применялись иностранные чипы, но появление высокопроизводительного отечественного аналога позволило пересмотреть подход к обучению.

Осенью 2025 года микросхема и макетно-отладочные платы были переданы в Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г. Ф. Морозова. По оценке преподавательского состава, переход на российский компонент не только упростил освоение материала, но и повысил качество студенческих разработок, которые уже используются в конкурсных проектах.

Выбор данного изделия для вузовской среды не случаен. К1921ВГ015 построен на открытой архитектуре RISC-V, поддерживает широкую периферию и предлагает гибкие режимы энергопотребления. Такие характеристики делают его пригодным для широкого круга задач — от автономных IoT-устройств до применений в промышленной и робототехнической автоматики. Обучающие материалы для разработчиков и преподавателей постоянно обновляются.

Изделие внесено в Реестр российской промышленной продукции (ПП РФ № 719) и Единый реестр радиоэлектронной продукции (ПП РФ № 878).

Другие предприятия ГК «Элемент» также активно поддерживают образовательную сферу. 27 февраля при поддержке Микрона, крупнейшего российского производителя микроэлектроники, в МИЭТ состоялся финал Национальной технологической олимпиады (НТО) по профилю «Цифровые сенсорные системы». Финалистам из 10 регионов России предстояло отработать решение инженерной задачи с микроконтроллерными системами электротехнического контроля на базе отечественного RISC-V микроконтроллера MIK32 Амур. Организатором профиля выступил НИУ МИЭТ, Микрон является индустриальным партнером соревнований и участвовал в работе жюри. Микрон поддерживает проведение НТО НИУ МИЭТ по профилю «Цифровые сенсорные системы» уже в течение 2 лет.

Возможностям самообразования способствуют организованные Микроном розничные продажи образовательного набора Старт с отладочной платой на базе микроконтроллера MIK32 Амур.

Для ГК «Элемент» подготовка высококвалифицированных специалистов в сфере микроэлектроники – часть стратегии по развитию отрасли в России. Использование отечественных микроконтроллеров в рамках работы со студентами позволяет им получить практический опыт работы с актуальными технологиями, что повышает качество образования.

@RUSmicro / MForum.ru

🇺🇸 ИИ-процессоры. Процессоры для инференса. Участники рынка. США

Nvidia готовит процессор для инференса на базе технологий Groq, OpenAI станет якорным клиентом

В преддверии ежегодной конференции GTC, которая пройдет в марте в Сан-Хосе, стало известно - Nvidia, безусловный лидер рынка AI-ускорителей, готовится представить новый класс процессоров, специально разработанных для задач инференса моделей ИИ. Основой новой платформы станет архитектура LPU (от англ. Language Processing Unit), которую Nvidia получила в рамках сделки со стартапом Grok.

Информация просачивалась и ранее, еще в декабре 2025 года стало известно о том, что Nvidia ведет переговоры о приобретении AI-чип стартапа Groq примерно за $20 млрд. В итоге эти деньги были выплачены за неэксклюзивную лицензию на технологии Groq, связанные с инференесом. Говорят, что так было сделано, чтобы обойти антимонопольщиков, которые возбудились бы на сделку с поглощением Groq. Так что Groq как компания продолжит независимое существование, но сосредоточившись на облачном сервисе GroqCloud.

Что такое LPU и почему это важно?

Groq LPU (Language Processing Unit) — это процессор, изначально спроектированный для максимально быстрого выполнения последовательных вычислений, необходимых для работы больших языковых моделей (LLM).

В основе LPU лежит архитектура Temporal Instruction Set Computer (TISC). Вместо того чтобы полагаться на дорогую и «медленную» (в контексте скорости работы ядер) память HBM (High Bandwidth Memory), как это делают GPU, LPU использует сверхбыструю статическую память (SRAM), расположенную непосредственно на кристалле.

Если в GPU обработка запросов может приводить к «дрожанию» (от англ. jitter) — нестабильному времени отклика, то LPU работает детерминированно: время выполнения каждой инструкции известно с точностью до наносекунды. Это принципиально важно для real-time приложений, таких как голосовые помощники или автопилоты.

Тесты Groq показали, что их системы способны выдавать более 500 токенов в секунду при работе с открытыми моделями, что в разы быстрее существующих решений на GPU.

Конечно, в Nvidia не смогли пройти мимо, иначе доминирование компании на рынке ИИ-чипов оказалось бы под угрозой (оно все равно под угрозой, уж очень о лакомой доле рынка идет речь, но сейчас конкурентам придется из кожи вон лезть, тогда как Nvidia может еще более укрепить свои позиции.

Интеграция Groq LPU позволит объединить «грубую силу» GPU для сложных вычислений с молниеносной реакцией LPU для выдачи результата. Ожидается, что гибридная система будет представлена как часть новой платформы на базе архитектуры Vera Rubin.

OpenAI делает ставку на обновленную Nvidia

Ключевым фактором, подтверждающим серьезность намерений Nvidia, стало согласие OpenAI стать крупнейшим клиентом для новых процессоров.

Этот шаг выглядит логичным в контексте недавней истории отношений двух компаний. В 2025 году Nvidia объявила о намерении инвестировать в инфраструктуру OpenAI до $100 млрд, это заложило основу для еще более тесной интеграции.

Хотя в конце 2025 - начале 2026 года OpenAI активно диверсифицировала риски, заключив многомиллиардные сделки с конкурентами Nvidia - Cerebras, AMD и Broadcom - сотрудничество с Nvidia остается для неё «фундаментальным».

OpenAI планирует использовать новую платформу Nvidia для улучшения своих инструментов генерации кода, в частности, для ускорения работы Codex.

💎 Успех интеграции будет зависеть от того, насколько гладко Nvidia сможет «подружить» программную экосистему Groq с собственным гигантским стеком CUDA. Если все получится, возникнет процессор, который сделает взаимодействие с ИИ практически мгновенным.

Официальный анонс новой платформы ожидается на конференции GTC (GPU Technology Conference) в марте 2026 года.

@RUSmicro / MForum

🇷🇺 Добыча сырья. Литий. Россия

«Полярный литий» планирует добычу лития на Колмозерском месторождении - еще один шаг к независимости российской электроники

Компания «Полярный литий», совместное предприятие «Норникеля» и горнорудного дивизиона Госкорпорации «Росатом» планирует запуск в эксплуатацию Колмозерского месторождения в 2030 году, согласно условиям лицензионного договора.

Начало добычи станет существенным шагом по освоению литиевых ресурсов в России, стратегически важным этапом для развития отечественной электроники и электротранспорта.

Колмозерское месторождение считается крупнейшим в России по запасам лития. По предварительным оценкам, оно содержит около 18,9 % всех его объемов в РФ. Качество руды - высокое, есть возможность открытой разработки.

Почему это важно

Очевидное снижение зависимости от импорта. Сейчас, в основном, литий для батарей и АКБ закупается за рубежом, это стратегическая зависимость, уязвимость.

Необходимость в литии диктуется тем, что именно этот материал сейчас является наиболее используемым в аккумуляторах для смартфонов. ноутбуков, электромобилей, мобильных роботов и систем накопления энергии. Локальное производство лития, если/когда будет налажено, позволит говорить о полном цикле производства востребованных аккумуляторных батарей в России.
Хотя надо бы смотреть и в сторону более перспективных новых технологий.

В целом литий востребован не только в аккумуляторах, но и находит еще немалый спектр применений - в производстве керамики и стекла, оптоволокна, сплавов, фарме и т.п.

ТАСС: "В настоящее время идет разработка проектно-сметной документации, ввод месторождения в эксплуатацию по условиям лицензионного соглашения - 2030 год. Этот срок будет соблюдаться"

@RUSmicro / MForum

🔬 Горизонты технологий. Научные исследования. Сверхпроводящая твердотельная память. Квантовая память. Россия

В МГТУ им. Н. Э. Баумана испытали прототип интегральной сверхпроводящей квантовой памяти

Учёные кластера «Квантум Парк» МГТУ и ФГУП «ВНИИА им. Н. Л. Духова» создали управляемое устройство квантовой памяти с рекордной эффективностью — 57,5 % (для сравнения: аналоги в США показывают 21 %, в Китае — 12 %).

Ключевые особенности:

🔹цикл хранения — 1,51 мкс, эффективная частота — 662 кГц (мировой рекорд);

🔹активный «ключ» на базе джозефсоновского перехода минимизирует потери сигнала;

🔹совместимость со сверхпроводниковыми кубитами для интеграции в квантовые процессоры;

🔹минимальное число управляющих элементов (всего одна линия управления).

В перспективе эта архитектура может стать основой, например, для квантовых компьютеров и сенсоров нового поколения.

По ссылке на MForum можно найти более развернутое сообщение, с иллюстрациями и ссылками на научную публикацию в реферируемом издании.

@RUSmicro / MForum

🇷🇺 Производство электроники. Производство смартфонов. Россия

Рикор выходит на российский массовый рынок смартфонов с моделями под своим брендом

Компания Рикор объявила о выходе на рынок потребительских смартфонов с двумя моделями – Rikor Neuro S3 и Neuro S5. Сообщается, что они спроектированы «инженерами Рикор с привлечением ведущих мировых дизайн-центров».

Это платформы под ОС Android 15, на основе 8-ядерного процессора приложений Unisoc Tiger T8200, Китай, (выпускаются с использованием EUV-литографа по техпроцессу 6нм). Графику поддерживает ARM Mali-G57 MC2, поддерживается XDR. В составе платформы есть NPU для ускорения ИИ-алгоритмов, используемых в поддержке фотосъемки, распознавании сцен, голосовых команд.

Память 6ГБ у S3 и 8ГБ у S5, UFS 3.1. Поддерживается расширение оперативной памяти «виртуальной RAM» вплоть до 24 ГБ. Накопители – 128 ГБ (S3) и 256 ГБ (S5). Предусмотрен слот для microSD емкостью до 2ТБ. Rikor Neuro S3 и Neuro S5 поддерживают eSIM, позволяя использовать 2 виртуальные SIM или одну физическую и одну eSIM.

Цены привожу не в качестве рекламы, а для понимания выбранного компанией ценового сегмента - 22.2 тыр за S3 (на одном из маркетплейсов), а S5 предлагается за 34.6 тыр.

Компания Рикор с производством в Арзамасе известна как производитель различной вычислительной техники – от ноутбуков и мини-ПК до моноблоков и серверов. Кроме того, компания предоставляет услуги контрактного производства под заказ. Заявляемая мощность производства – более 7 млн изделий в год (объем примерный, т.к. зависит от типа изделий). Штат предприятия – 1.5 тысяч, площадь завода – 72 тыс. кв.м.

@RUSmicro / MForum.ru

🇨🇳 Перспективные разработки. Микросхемы для космоса. 2D-структуры. Китай

В Китае создали микросхемы, «прозрачные» для радиации

В основе разработки китайских ученых – чипы на основе монослоя дисульфида молибдена (2D MoS₂) толщиной в один атом. Через такие узлы высокоэнергетические частицы космического излучения проходят, не вызывая повреждений. В лабораторных условиях образцы выдерживали дозы излучения до 10 Мрад, не теряя в параметрах транзисторов.

Система связи с использованием таких транзисторов успешно отработала на орбите высотой 517 км в течение 9 месяцев, работая на частотах 12-18 ГГц. Разработчики утверждают, что даже в более жестких условиях геостационарной орбиты ресурс новой электроники может достичь 270 лет.

Пока что в основе разработки – 10-см пластины.

Эта разработка, если достигнет статуса массовых коммерческих решений, откроет путь к созданию легкой и недорогой микроэлектроники для использования в космосе, способной работать без мощной противорадиационной защиты.

dx.doi.org/10.1038/s41586-025-10027-9

@RUSmicro / MForum.ru

🇳🇱 Производственное оборудование. Нидерланды

ASML планирует расширение линейки производственного оборудования

Компания ASML рассказала о планах расширения линейки своего производственного оборудования рядом перспективных продуктов, которые придут на рынок в ближайшие годы.

В частности, в компании намерены расширить присутствие на рынке оборудования для «продвинутой упаковки» (Advanced Packaging), которое позволяет соединять несколько чиплетов. Это оборудование критически важно для производства современных ИИ-чипов и высокоскоростной памяти.

Кроме того, компания будет внедрять ИИ в существующее и в перспективное оборудование. Горизонты планирования в компании – не только ближайшие 5 лет, но 10-15 лет. Это необходимо для оптимизации ПО управления установками, в частности, для ускорения процессов инспекции пластин в условиях растущей сложности производства и производительности литографов.

Еще одно направление – попытка увеличения максимального размера рабочего поля фотолитографа, что ускорило бы обработку пластин, повысило бы их производительность.

Сложность и точность, необходимая для современных видов упаковки, сделали когда-то низкорентабельный бизнес по объему производства, более прибыльным, а потому интересным для таких компаний как ASML.

В 2025 году ASML представила сканер нового поколения XT:260, созданный специально для производства передовых чипов памяти, используемых для ИИ, а также процессоров ИИ. Особенность этой установки – не сверхвысокое разрешение, а очень высокая скорость обработки пластин. Эта установка обрабатывает до 270 пластин в час, что примерно в 4 раза быстрее существующих аналогов. К тому же, эта установка способна работать со слегка деформированными и толстыми (до 1.7 мм) пластинами.

В ASML думают над созданием и другого дополнительного оборудования, компания хочет существенно расширить сегменты рынка, в которых она активно представлена.

@RUSmicro / MForum.ru

🇷🇺 Российские микроконтроллеры. Контракты. Применение. Россия

Компания Реглаб заключила долгосрочный контракт на закупку микроконтроллеров Baikal-U

Компания Реглаб стала первым крупным заказчиком микроконтроллеров Baikal-U (BE-U1000). Они будут встраиваться в решения компании в области АСУ ТП (ПЛК). В течение 5 лет «Байкал Электроникс» должна будет поставить 1,5 млн микроконтроллеров.

Первая отгрузка объемом 150 тысяч штук должна завершиться в 1H2026, сообщила пресс-служба «Байкал Электроникс». Стоимость этой партии - более 100 млн рублей. Эта сделка на сегодня стала крупнейшим из известных коммерческим контрактом на поставку российских микропроцессоров на архитектуре RISC-V.

В «Байкал Электроникс» планируют поставить на российский рынок 1 млн микроконтроллеров Baikal-U в 2026 году.

@RUSmicro / MForum.ru

🇷🇺 Горизонты технологий. Память. Россия

В Сибири изучают возможности создания элементов памяти на квантовых точках

Исследование было проведено в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Результаты опубликованы в The Journal of Physics and Chemistry of Solids.

"Новая технология в будущем позволит улучшить характеристики памяти: повысить время хранения информации в энергонезависимом режиме, увеличить количество циклов перезаписи, поднять скорость работы. Это в конечном итоге приблизит ученых к созданию универсальной памяти", - говорится в сообщении.

Квантовые точки в лаборатории института формируют с помощью процессов МЛЭ (молекулярно-лучевой эпитаксии). В вакуумированной камере, где размещается подложка и нагреватель, испаряются алюминий и галлий. Также на подложку должны попасть азот, фосфор и сурьма. При определенных условиях, образующиеся полупроводниковые соединения собираются в нанокристаллы.

"Внимание группы новосибирских ученых под руководством Демида Суада Абрамкина в данный момент сосредоточено на системе самоорганизованных GaN квантовых точек в матрице AlN. Расчеты, опубликованные в статье 2025 года, показали, что эти объекты характеризуются весьма высокой энергией локализации электронов (1,5 эВ и выше). Этого вполне достаточно для энергонезависимого хранения заряда в течение десяти лет"

Тематике квантовых точек в последнее время посвящается множество публикаций, буквально ежедневно выходят новые. ||

doi.org/10.1016/j.jpcs.2025.112945

@RUSmicro / MForum.ru

Инженеры микросхем и облачные архитекторы стали самыми высокооплачиваемыми в Китае

Облачные архитекторы и проектировщики микрочипов возглавили топ самых высокооплачиваемых профессий в Китае. Об этом говорится в исследовании кадрового сервиса 51job.

Их средние годовые доходы в городах первого уровня превышают 490 тыс. ($72 тыс.) и 400 тыс. юаней ($58 тыс.) соответственно.

В документе также отмечается рост зарплат в цифровых профессиях автопрома и промышленности. Автоинженеры по алгоритмам в городах первого уровня получают в среднем 385 тыс. юаней ($56 тыс.) в год, инженеры по автоматизации производств — 235 тыс. юаней ($34 тыс.).

Хайтек стал лидером по росту зарплат в 2025 году, которые увеличились на 4,9%. Среди городов по уровню оплаты труда лидировали Шанхай, Пекин, Гуанчжоу, Ханчжоу, Нанкин.

❤ Новости Китая | ЭКД

🇷🇺 Производство печатных плат. HDI 4-N-2. Россия

Резонит сообщает об изготовлении 12-слойной HDI платы

HDI (от англ. High Density Interconnect) - это печатная плата с высокой плотностью межсоединений. По сравнению с обычными многослойными платами она позволяет разместить больше компонентов на меньшей площади за счёт более плотной трассировки. Требования к таким платам регламентирует стандарт IPC-2226.

При производстве платы были применены 4 цикла прессования (4-N-2), каждый из которых сопровождался сверлением межслойных переходов и их металлизацией по новой для предприятия технологии заращивания отверстий медью.

Также были произведены 2 цикла сверления и металлизации сквозных отверстий, один из которых реализован с применением технологии заполнения переходных отверстий компаундом.

В обозначении 4-N-2, четверка слева означает 4 последовательно наращиваемых слоя с микроотверстиями на верхней стороне плат; N - центральное многослойное ядро (может содержать от 2 до 20+ слоёв с традиционными сквозными отверстиями); 2 (справа) - два последовательно наращиваемых слоя с микроотверстиями на нижней стороне платы. В нашем случае, если я правильно понял, N=6.

В отличие от симметричных структур (например, 2+N+2 или 4+N+4), в 4+N+2 верхняя сторона имеет вдвое больше микрослойных переходов, чем нижняя. Это позволяет:

▫️сконцентрировать сложную маршрутизацию на одной стороне платы;
▫️разместить компоненты с высокой плотностью выводов (BGA, CSP) преимущественно сверху;
▫️упростить разводку менее критичных цепей снизу.

Структура 4+N+2 плотнее, чем 2+N+2, но дешевле, чем 4+N+4. Такой подход позволяет оптимизировать топологию под конкретные требования: например, выделить 4 верхних слоя для высокоскоростных сигналов, а 2 нижних — для питания и заземления.

Основное, что позволяет такая плата - поддерживать компоненты с мелким шагом выводов. Например, на такую плату можно монтировать BGA‑корпуса с шагом 0,3–0,4 мм и другие компактные компоненты. В целом, можно сократить габариты платы на 20–30% по сравнению с традиционными многослойными платами. А еще короткие межслойные соединения уменьшают задержки и перекрёстные помехи.

Из-за ассиметрии платы, важно вести проектирование с оглядкой на нее, то есть продумывать меры по минимизации коробления (симметричное расположение слоев питания/земли, баланс меди и т.п.)

В целом, структура 4+N+2 — это «золотая середина» для HDI‑плат. Она даёт повышенную плотность и производительность там, где 2+N+2 уже недостаточно, но 4+N+4 экономически нецелесообразно.

Спецификация платы, которые освоил подмосковный Резонит:

▫️12 слоев, FR4 HiTg170, 1.6 мм
▫️предельный уровень технологии
▫️иммерсионное золото
▫️фольга: 18/18 мкм
▫️проводник: 75/75 мкм
▫️мин. диаметр переходного отверстия: 0.1 мм
▫️мин. площадка: 0.25 мм
▫️HDI - 4+N+2
▫️контроль волнового сопротивления
▫️сверление на глубину
▫️заполнение переходных отверстий эпоксидным компаундом с последующей металлизацией (по IPC-4761 Type VII)
▫️заполнение переходных отверстий медью

@RUSmicro

📈 Тренды. Дефицит "зрелых" чипов. Аналитика

Бум ИИ вызвал также дефицит микросхем, выпускаемых по "зрелым" технологиям

Звучит как парадокс? На самом деле, происходящее вполне логично.

В основе этого тренда - архитектуры современных ИИ-серверов. Понятно, что для их создания требуются топовые изделия, как по части "мозгов" (GPU, TPU, ASIC), так и по части "памяти" (HBM), но ведь сервер состоит не только из этих компонентов.

В составе любого сервера есть мощные контроллеры питания (PMIC), регулирующие энергопотребление; есть дискретные компоненты (транзисторы, диоды, стабилизаторы); интерфейсные чипы и контроллеры ввода-вывода; есть микросхемы памяти (DRAM и NAND) и т.п.
Многие из этих вспомогательных микросхем можно выпускать по зрелым техпроцессам - 28нм, даже 40нм и 65нм.

И их активно используют. Поскольку там, где не нужна экстремальная плотность транзисторов, зачастую выше надежность. А еще соответствующие производственные линии зачастую давно окупились и теперь их амортизация практически не добавляет себестоимости производимым на них микросхемам. Соответствующие технологии за годы отлажены до минимума брака, характеристики изделий стабильны. Большинство таких микросхем выпускается на 200мм кремниевых пластинах.

Спрос на вспомогательные компоненты для ИИ‑инфраструктуры растет лавинообразно, во многом повторяя кривую роста спроса на передовые чипы. Не удивительно, что мощности по работе с пластинами 200мм также оказались перегружено.

Масштабировать "зрелое" производство весьма непросто - оборудование для пластин 200мм производится уже не столь массово, как ранее.

И ведь бум спроса характерен не только в области ИИ. Изделия, выпущенные по зрелым технологиям, востребованы в автопроме, в IoT, в промышленной автоматике.

И вот уже TSMC и ряд других участников рынка объявили о повышении цен на услуги по "зрелым" техпроцессам на 10-15%. Выросли сроки выполнения заказов (книги заказов у многих забиты чуть не на год вперед). Некоторые фабрики, которые едва крутились на пределе рентабельности из-за недозагруженности, теперь загружены на 100%, что сделало их высокорентабельными.

Какие последствия это нам сулит.

Рост себестоимости конечных изделий, который скорее всего, будет оттранслирован ростом стоимости конечных изделий, нам придется покупать необходимую на замену технику дороже, чем раньше. Это коснется самой обычной бытовой электроники, не говоря уже о ПК и ноутбуках.

Задержки поставок станут все более частым явлением.

Крупный бизнес постарается заключать долгосрочные контракты, резервирующие производственные мощности под их заказы, мелким заказчикам станет выживать еще сложнее.

Неизбежно мы будем наблюдать консолидацию на рынке, кто-то кого-то скушает.

Из плюсов - сейчас есть шанс выйти на рынок новым игрокам, включая небольших, я имею в виду - со своим производством.

Также можно ожидать, что тотальный дефицит будет стимулировать разработки. Например, интегрирующие функционал старых вспомогательных чипов в современные микросхемы.

О каком горизонте времени я говорю? Примерно 2-3 года.

@RUSmicro

🇹🇼 Производственные мощности. Производство кристаллов. Тайвань

TSMC не снижает темпов масштабирования производства

Несмотря на затратную для компании экспансию на международных рынках, компания массировано инвестирует и в развертывание новых производств непосредственно на Тайване.

TSMC строит сразу 10 предприятий на острове. Это фабрики для производства полупроводниковых структур на пластинах по техпроцессам 2-нм (в Синьчжу и Гаосюне) и 1.4-нм (в Тайчжуне, 4 завода), а также предприятия по критически важной упаковке CoWoS.

А еще города Тайчжун и Дрезден договорились об углублении сотрудничества в полупроводниковой (и машиностроительных областях). Дрезден - это центр крупнейшего в Европе кластера микроэлектроники, здесь производят треть европейских микросхем (не самых современных, но вполне востребованных на рынке).

Как я понял, стороны договорились о сотрудничестве в области систем очистки воды. И о сотрудничестве в области кадровых вопросов, что бы это не значило.
Скорее всего, если это сотрудничество действительно будет организовано, оно будет на пользу обеим сторонам.

@RUSmicro

🇯🇵 Производство кристаллов. 2нм. Инвестиции. Япония

В Японии привлекли очередные миллиарды в проект Rapidus

После нескольких лет торможения в освоении современных техпроцессов, в Японии предпринимают попытку догнать топовый уровень технологий, пропустив ряд этапов. Это делается в рамках стартапа Rapidus, который получает воистину "общенародную" поддержку.

В этот проект поступают все новые и новые инвестиции, как государственные, так и частные. Очередная сумма составила 267.6 млрд иен ($1.8 млрд), к прежним инвесторам (Toyota, Sony, Softbank, NEC) присоединились еще 24 компании, включая Canon, Kyocera и Seiko Epson. Государственная доля в инвестициях - 100 млрд иен ($641 млн). Эти средства используются на строительство и оснащение фабрики IIM-1 в Титосе на Хоккайдо, где планируется начать массовый выпуск кристаллов по техпроцессу 2нм к 2027 году.

Не откладывая дела в "долгий ящик" под тем смешным предлогом, что производство еще не стартовало и техпроцесс 2HP GAA FET еще не отлажен, компания Rapidus ведет переговоры с 60 компаниями (в основном, с зарубежными, в Японии, как ни странно, нет спроса на топовые чипы). В планах компании - не только освоение 2нм, но также строительство второй фабрики, где будет поддерживаться процесс 1.4нм к 2029 году. В долгосрочной перспективе здесь целятся и в 1нм.

Для реализации этих планов японцы закупили установки High-NA UEV у их единственного в мире производителя - ASML из Нидерландов.

@RUSmicro

🇮🇳 Сборка микросхем. ATMP. Индия

Премьер Индии официально открыл сборочный завод Micron Technology в Сананде

Мы об этом проекте в Гуджарате знаем с июня 2023 года. Сравнительно большой и значимый для Индии проект. Инвестиции в него составили 22 516 крор рупий (примерно $2.6 млрд).

Завод будет обеспечивать упаковку и тестирование микросхем (ATMP - Assembly, Testing, Marking and Packaging), выпуская DRAM, NAND и SSD. О масштабах производства можно косвенно судить по тому, что персонал предприятия насчитывает 2 тысяч человек с планами расширения до 5 тысяч.

Рассуждая об этом проекте, стоит отметить, что он построен сравнительно быстро, несмотря на то что это Индия, со всей индийской спецификой. Завод уже выпустил первый продукт – серверный модуль Dell, который направлен заказчику.

Сборочный завод – это еще не производство полупроводников на пластинах, но серьезная часть усилий Индии в рамках программы «Полупроводники 2.0» по вступлению в клуб стран, занимающихся разработкой и производством микроэлектроники. Солидный строительный блок в основу экосистемы производства микроэлектроники в Индии.

А для американской Micron – это возможность организовать сборку не с такими высокими издержками, которые бы непременно возникли бы при попытке наладить такое производство в современных США. Впрочем, еще нужно будет посмотреть, насколько довольны будут в США этим сотрудничеством.

@RUSmicro

▶️ Чипы – это новая нефть.

Ознакомились с интервью гендиректора НИИМЭ Александра Кравцова. По его словам, Россия уже не просто формулирует амбиции. Она методично, шаг за шагом, выстраивает собственную технологическую цепочку производства чипов, от материалов до оборудования, понимая, что без суверенной элементной базы невозможно ни развитие телекоммуникационной инфраструктуры, ни создание систем ИИ, ни независимость критически важных отраслей экономики.

🟢 Полное интервью можно прочитать по ссылке, мы же подсветим основные тезисы:

• В мире начался необратимый процесс децентрализации микроэлектроники. США, Европа, Китай, Южная Корея инвестируют в собственные фабрики, понимая: зависеть от единственного источника производства стратегически опасно.

• Россия фактически 40 лет не готовила специалистов в области электронного машиностроения. Сейчас создание оборудования идет параллельно с восстановлением научной и производственной школ.

• Для разных задач – разные нормы, и это экономически обосновано. Транспортные карты работают на 180-90 нм. Выбор нормы определяется балансом функциональности и стоимости для конкретного изделия.

• Задача до 2030 года – стопроцентная замена иностранных материалов отечественными для техпроцессов вплоть до 90 нм. Исследования материалов для 65 нм и ниже уже начаты.

• Снижение топологических норм – это вопрос энергетической и вычислительной эффективности. Чем меньше норма, тем больше транзисторов на единицу площади, выше быстродействие и ниже энергопотребление.

• Отечественный фоторезист для технологии 90 нм уже внедрен на «Микроне» и не уступает зарубежному аналогу.

• НИИМЭ и НИИТМ представили две работающие установки: плазмохимического осаждения и плазмохимического травления для норм 65 нм с перспективой расширения до 28 нм, стоимостью около 2,5 млрд руб.

• 28 нм – технологическая граница планарного производства. Дальнейшее масштабирование требует перехода на FinFET (Gate-All-Around) объемные трехмерные транзисторы. В России ведутся фундаментальные исследования по нормам 10 нм и менее.

• Создание линейки оборудования для пластин 200 и 300 мм под технологию 28 нм – ключевая производственная задача программы

• Каждый переход по технологии требует новых материалов, нового комплекса оборудования и новых технологических операций. У мировых лидеров освоение 28-нм техпроцесса заняло около четырех лет.

• Реверс-инжиниринг применим лишь частично. Ключевые компоненты, например, реактор в установке плазмохимического травления, создаются с нуля: для корректной работы физических процессов их нельзя просто скопировать.

• Окупаемость инвестиций в микроэлектронику – стратегическая, а не коммерческая. Созданные установки должны в течение десяти лет заменить зарубежное оборудование и обеспечить производство продукции, которую при любых условиях не продадут.

• Российский рынок мал, но критическая инфраструктура платит премию за безопасность. Национальная микроэлектроника ориентирована прежде всего на обеспечение элементной базой объектов, где цена ошибки несравнимо выше стоимости отечественного чипа.

™️ Телекоммуналка

🇺🇸 Горизонты технологий. Квантовые вычисления. Микроэлектроника. США

В Калифорнийском университете обнаружили дефект в кремнии, который может стать основой для создания практических квантовых устройств

Речь идет о так называемых CN-центрах. Это кубит, состоящий из атомов углерода и азота, не содержащий водорода.

Чем он лучше других?

🎓 Кубиты на основе дефектов кристаллической решётки (как знаменитый NV-центр в алмазе) считаются одними из самых перспективных благодаря способности излучать одиночные фотоны и взаимодействовать с электронами. Ключевая проблема - интеграция таких центров в традиционные кремниевые технологии.

До недавнего времени основным кандидатом в кремнии был так называемый T-центр (содержит углерод и водород). Его главные достоинства - это долгое хранение квантовой информации (сопоставимо с NV-центрами) и излучение в "телеком-диапазоне", что критически важно для передачи данных по оптоволокну без потерь.

Но водород делает структуру избыточно хрупкой и чувствительной к условиям производства, что затрудняет создание надёжных и воспроизводимых устройств в промышленных масштабах.

CN-центр сохраняет ключевые свойства T-центра: излучает в телеком-диапазоне и обладает структурной стабильностью, при этом, согласно моделированию, более устойчив и потому более подходит к практическому применению.

Группа профессора Криса Ван де Валле использовала компьютерные симуляции для моделирования дефекта на атомном уровне. Такой подход позволяет предсказывать свойства материалов, ещё не созданных экспериментально.

Американские ученые утверждают, что это открытие открывает путь к созданию квантовых сетей и устройств связи, совместимых с существующей телекоммуникационной инфраструктурой — и всё это на базе проверенного и массового материала.

@RUSmicro, UC Santa Barbara, Physical Review B (DOI: 10.1103/PhysRevB.111.085305, картинка - Phys.org

🇳🇱 Фотолитография. Производственное оборудование. Нидерланды

ASML объявляет о готовности High-NA EUV к массовому производству AI-чипов

Голландская компания ASML, мировой монополист в производстве литографических систем, объявила о ключевом этапе готовности своих инструментов следующего поколения.

По словам технического директора Марко Питерса, новые High-NA EUV (высокоапертурные) сканеры достигли технической зрелости, необходимой для начала массового производства сложнейших чипов, включая процессоры для ИИ.

🔹 Оборудование уже обработало 500 000 кремниевых пластин и демонстрирует достаточную точность для печати современных наносхем.

🔹 В настоящий момент достигнута бесперебойная работа на уровне 80% (uptime). ASML планирует повысить этот показатель до 90% к концу 2026 года.

🔹 Новый инструмент позволяет заменить несколько циклов обработки на старом оборудовании одним проходом High-NA, что снижает сложность и себестоимость производства.

Стоимость одной системы High-NA примерно $400 млн - вдвое дороже предыдущего поколения EUV. Несмотря на это, крупнейшие производители (Intel, TSMC, Samsung) уже активно тестируют новые машины.

Питерс отметил, что хотя технологически машины готовы, производителям потребуется ещё 2–3 года на интеграцию новых сканеров в действующие производственные линии (фабрики). Тем не менее, накопленный опыт уже позволяет говорить о том, что отрасль получила инструмент для выполнения амбициозных "дорожных карт" в сфере искусственного интеллекта.

@RUSmicro