В Сибири изучают возможности создания элементов памяти на квантовых точках
Исследование было проведено в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Результаты опубликованы в The Journal of Physics and Chemistry of Solids.
"Новая технология в будущем позволит улучшить характеристики памяти: повысить время хранения информации в энергонезависимом режиме, увеличить количество циклов перезаписи, поднять скорость работы. Это в конечном итоге приблизит ученых к созданию универсальной памяти", - говорится в сообщении.
Квантовые точки в лаборатории института формируют с помощью процессов МЛЭ (молекулярно-лучевой эпитаксии). В вакуумированной камере, где размещается подложка и нагреватель, испаряются алюминий и галлий. Также на подложку должны попасть азот, фосфор и сурьма. При определенных условиях, образующиеся полупроводниковые соединения собираются в нанокристаллы.
"Внимание группы новосибирских ученых под руководством Демида Суада Абрамкина в данный момент сосредоточено на системе самоорганизованных GaN квантовых точек в матрице AlN. Расчеты, опубликованные в статье 2025 года, показали, что эти объекты характеризуются весьма высокой энергией локализации электронов (1,5 эВ и выше). Этого вполне достаточно для энергонезависимого хранения заряда в течение десяти лет"
Тематике квантовых точек в последнее время посвящается множество публикаций, буквально ежедневно выходят новые. ||
doi.org/10.1016/j.jpcs.2025.112945
@RUSmicro / MForum.ru