Новости электроники

Выручка от российских материалов для микроэлектроники вырастет от 100 миллионов до 1,7 миллиарда рублей

Это в 17 раз больше чем в 2024 году

При этом значительная часть отечественной продукции по-прежнему производится с использованием зарубежного сырья, а развитие отрасли сдерживает нехватка финансирования. Об этом сообщает CNews со ссылкой на данные Минпромторга.

Согласно данным министерства, в 2026 г. на субсидии на разработку материалов заложено 0,66 млрд руб., на ОКР — 1,6 млрд руб. Количество материалов, готовых к поставке, достигнет 69 единиц против 51 в 2025 г. и 34 в 2024 г.

В 2025 г. выручка от реализации российских материалов для чипов составила 0,56 млрд руб., в 2024 г. — 0,1 млрд руб. То есть за два года выручка вырастет в 17 раз.

В 2027 г., по прогнозу, выручка от реализации вырастет до 1,86 млрд руб., количество материалов — до 80. Субсидии при этом снизятся до 0,3 млрд, а ОКР — до 0,97 млрд. В 2028 г. ожидается выручка 1,73 млрд рублей при 98 материалах. Субсидии также уменьшатся до 130 млн руб., а бюджеты на ОКР — до 1 млрд руб.

Однако увеличение выпуска отечественной продукции пока не означает достижения технологической независимости. По данным руководителя департамента материалов МНТЦ МИЭТ Вадима Ежлова, российские предприятия используют около 84% материалов отечественного производства, но примерно 90% из них изготавливаются с применением иностранного сырья. Поэтому эксперт считает такую продукцию лишь условно отечественной: ее выпуск все еще зависит от зарубежных поставок.

Всего российская электронная промышленность использует более 5 тыс. наименований материалов. Значительная часть применяется в производстве пассивных электронных компонентов, тогда как в микроэлектронике, СВЧ- и силовых приборах зависимость от импорта остается особенно высокой. К 2030 году Россия рассчитывает заместить около 70% импортного оборудования и материалов, необходимых для производства микросхем.

Для достижения этой цели подготовлена программа развития электронного машиностроения, предусматривающая 110 опытно-конструкторских работ. Объем бюджетного финансирования программы до 2030 года превышает 240 млрд рублей.

#новостиэлектроники
 

Эвтектика поможет в создании более совершенных светодиодов и перовскитных солнечных элементов

Команда ученых, возглавляемая исследователями Калифорнийского университета в Сан-Диего, разработала новый способ сделать перовскитные солнечные элементы — многообещающую солнечную технологию следующего поколения — более эффективными и долговечными. Создав временную жидкость на время кристаллизации материала, исследователи смогли вырастить кристаллы перовскита большего размера, более однородные и с меньшим количеством дефектов.

Солнечные элементы, из которых состоят большие солнечные панели, и светодиоды, изготовленные с использованием этих перовскитов, имеют КПД от 24% до 26%, что является высоким показателем для устройств на основе перовскитов. Солнечные элементы также сохранили большую часть своей первоначальной эффективности после восьми недель непрерывной работы в условиях имитации солнечного света

Перовскиты — это класс материалов, которые потенциально могут стать основой для недорогих и высокоэффективных солнечных батарей. В отличие от традиционных кремниевых солнечных батарей, перовскиты можно получать из растворов и наносить в виде тонких пленок, что также может упростить производство и снизить энергозатраты.

Однако создание высококачественной перовскитной солнечной батареи — непростая задача. Перовскитные пленки обычно состоят из множества крошечных кристаллов, плотно прилегающих друг к другу. Границы раздела между этими кристаллами, так называемые границы зерен, могут содержать дефекты, из-за которых теряется часть энергии, получаемой от солнечного света. Эти дефекты могут стать еще более серьезной проблемой при попытке создать солнечные панели большего размера, поскольку эффективность падает по мере увеличения устройства.

Команда исследователей разработала способ выращивания перовскитов с меньшим количеством таких дефектов. Их исследование было сосредоточено на материале, известном как галогенид перовскита. Они добавили две дополнительные соли — бромид цинка и хлорид метиламмония — в раствор, из которого был получен перовскит. При нагревании материала эти две добавки образовали легкоплавкую смесь, называемую эвтектикой.

Эвтектика служила временной жидкостью на границах между растущими кристаллами, что давало кристаллам пространство для перегруппировки и формирования более упорядоченной структуры. По мере непрерывного нагрева материала один из компонентов добавки, метиламмонийхлорид, испарялся. Цинк оставался сконцентрированным на границах кристаллов, где он помогал нейтрализовать электронные дефекты.

Подробнее: https://russianelectronics.ru/evtektika-pomozhet-v-sozdanii-bolee-sovershennyh-svetodiodov-i-perovskitnyh-solnechnyh-elementov/
 
Новости электроники МАХ I VK

Поставщики и производители тех оборудования

 В базе компании представлены по видам деятельности, производимому и поставляемому оборудованию: измерительному и тестовому оборудованию и ПО, оборудованию по производству полупроводниковых компонентов, технологическому оборудованию и ПО, материалам и принадлежностям и дополнительным услугам.

 База по ссылке: https://russianelectronics.ru/tehoborudovanie/

  #производствоэлектроники #техоборудование
 

Минпромторг хочет обязать радиоэлектронные компании реинвестировать экономию от льгот

Чтобы остаться в реестре организаций радиоэлектронной промышленности, компаниям—производителям электроники будет необходимо направлять на развитие сумму, не менее чем вдвое превышающую полученную благодаря налоговым льготам экономию. Кроме того, не менее 70% доходов от реализации произведенной на основе собственных разработок электронной и радиоэлектронной продукции должно будет приходиться на продукцию, включенную в реестр российской промышленной продукции. Такие поправки могут внести в постановление правительства №2392, регулирующее правила ведения реестра организаций радиоэлектронной промышленности.

Участники рынка полагают, что мера должна помочь избавиться от «псевдолокализованной» продукции, но может негативно сказаться на мало локализованных и нереестровых типах продукции.

Подробнее: https://www.kommersant.ru/doc/9008649

#новостиэлектроники

Оборудование следующего поколения для производства чипов поколения будет готово через 10 лет

Преемник самой современной машины для производства микросхем компании ASML может появиться примерно через 10 лет, сообщили инженеры компании и ее партнера по оптике Carl Zeiss в рецензируемой научной статье.

Оборудование, получившее название Hyper NA, позволит печатать микросхемы меньшего размера, используя большую часть существующих технологий ASML.

Машина, которую начала разрабатывать компания ASML, но выпуск которой еще не налажен, важна для будущих перспектив компании, а также ее партнеров и конкурентов.
Компания является самой ценной по рыночной капитализации в Европе благодаря своей монополии на инструменты для литографии, которые используют экстремальный ультрафиолетовый свет (EUV) для печати крошечных схем чипов искусственного интеллекта.
В статье, опубликованной в октябрьском номере журнала Journal of Micro/Nanopatterning, Materials and Metrology, говорится, что Hyper NA может печатать элементы размером до 5 нанометров, что более чем на треть меньше, чем у нынешнего оборудования EUV с «высокой числовой апертурой» от ASML.
Несмотря на то, что производители чипов совершенствуют их с помощью 3D-дизайна, уменьшение размеров элементов остается ключевым фактором для повышения скорости и энергоэффективности, а литография является сдерживающим фактором.

В статье утверждается, что компания Zeiss уже может изготавливать зеркала с достаточной точностью для Hyper NA, и что машина будет лишь немногим больше инструментов с высоким показателем преломления, которые уже размером с двухэтажный автобус.

По словам авторов, для инструментов с показателем преломления ниже Hyper NA, скорее всего, потребуется использовать более короткую длину волны света, что пока является предметом академических исследований.
Они заявили, что текущий источник света компании ASML «может быть использован в неизменном виде» для Hyper NA, при этом отметив, что альтернативный метод с использованием лазеров на свободных электронах не изменит конструкцию системы освещения.
Эти замечания актуальны для американских стартапов, в том числе xLight, который разрабатывает источники света на основе лазеров на свободных электронах, которые, как намекнул Илон Маск, могут быть востребованы на его заводе по производству чипов Terafab в Техасе, а также для Substrate, который занимается рентгеновской литографией.

#новостиэлектроники

Ученые разработали модульный способ наложения различных кристаллических материалов на фотонные чипы

Исследователи из Вашингтонского университета разработали новый метод, позволяющий кремниевой фотонике эффективно выполнять оптические функции, необходимые для управления светом и его обнаружения, преодолев ключевое ограничение, связанное с материалами, которое сдерживало ее возможности.

Команда ученых добавила ультратонкие монокристаллические пленки к существующим кремниевым фотонным схемам. Различные кристаллические материалы выполняют определенные функции, такие как управление, модуляция и обнаружение света.

До сих пор добавлять такие материалы было сложно, поскольку их выращивание непосредственно на кремнии может привести к проблемам с совместимостью и производством. Новый метод предполагает выращивание кристаллов отдельно с последующей их установкой на чип.

В зависимости от требуемой функции материалы можно размещать рядом друг с другом или друг на друге. Команда продемонстрировала модуляцию и управление светом, а также его обнаружение в диапазоне длин волн от ультрафиолетового до ближнего инфракрасного излучения, назвав модульный подход «фотонным конструктором».

Для демонстрации концепции команда использовала четыре материала с разными свойствами. Монокристаллический титанат бария (BTO) обеспечивал электрооптическую модуляцию, позволяя электрическим сигналам управлять светом, проходящим через чип.

Для несимметричного управления светом исследователи использовали феррит кобальта (ФК), который может влиять на то, как свет проходит через устройство. Они также интегрировали мембраны из арсенида галлия и нитрида галлия на нитрид кремния для обнаружения волн в диапазоне от ультрафиолетового до ближнего инфракрасного излучения.

Исследователи пошли еще дальше, разместив на кремниевых микрокольцевых резонаторах наномембраны BTO и CFO, что позволило одному устройству управлять светом с помощью как электрических, так и магнитных эффектов.

Эта технология может оказаться особенно полезной в условиях растущих нагрузок на центры обработки данных и вычислительные системы. Исследователи разрабатывают фотонные чипы для высокоскоростной оптической связи, фотонных вычислений и совмещенной оптики, а также для более специализированных применений в сенсорных и квантовых технологиях.

Исследователи заявили, что модульный подход в конечном итоге может позволить разработчикам микросхем выбирать и комбинировать различные кристаллические мембраны в зависимости от функций, требуемых для конкретного приложения. Текущая работа демонстрирует структуру интеграции и несколько оптических функций, а не полноценный коммерческий фотонный процессор.

Новости электроники МАХ I VK

#новостиэлектроники

От оборудования для SMD-монтажа – к высокоточной робототехнике: развитие платформы ТИТАН

Статья Алексея Цыгулина, к.т.н., доцента кафедры Теоретической и прикладной информатики НГТУ, доцента кафедры «Проектирование технологических машин» НГТУ, генерального директора ООО «ТДМ Коммуникации» и Максима Жарникова, директора по маркетингу линии «Инициатива», руководителя проектов внедрения, в журнале «Электронные компоненты» №9/2026

Новосибирская инжиниринговая компания рассказывает о 10-летнем опыте разработки оборудования для автоматизации электронного производства.

Статья по ссылке: https://russianelectronics.ru/ot-oborudovaniya-dlya-smd-montazha-k-vysokotochnoj-robototehnike-razvitie-platformy-titan/
 

Российские ученые предложили технологию создания чипов флеш-памяти, устойчивых к космической радиации

В ее основе — специальные пленки с дефектами-«ловушками», которые удерживают электроны. Накопленный таким образом заряд позволяет хранить информацию. В перспективе такие устройства можно будет применять в орбитальных дата-центрах, космических кораблях с ядерным источником энергии и атомных станциях на других планетах. Разработка также открывает возможности для создания суперкомпьютеров в космосе. По мнению экспертов, у российских ученых есть серьезные достижения в области чипов памяти нового поколения. Однако для их серийного производства нужны инвестиции в фабрики, оборудование, материалы и подготовку специалистов

Подробнее:
https://iz.ru/2180168/andrei-korshunov/ustoichivye-k-radiatcii-fleshki-pomogut-sozdat-superkompiutery-v-kosmose

Разработан 2D транзистор из дисульфида молибдена с длиной канала менее 5нм и характеристиками, превосходящими возможности кремния

На протяжении десятилетий вычислительная мощность зависела от транзисторов из кремния, и ученые посвятили много времени тому, чтобы сделать их меньше. Это связано с тем, что уменьшение размеров этих крошечных электронных переключателей, из которых состоят компьютерные чипы, позволяет производителям размещать их в большем количестве на том же пространстве, увеличивая вычислительную мощность.

Но по мере того, как размер кремниевых транзисторов приближается к нескольким нанометрам, материал, благодаря которому на протяжении десятилетий происходил технологический прогресс, оказывается под угрозой из-за фундаментальных физических ограничений.

Исследователи из Университета Карнеги — Меллона продемонстрировали, что другой класс полупроводников может позволить уменьшить размер транзисторов до предела.

В исследовании, опубликованном в Nature Communications, исследователи создали транзисторы из дисульфида молибдена, MoS₂, — атомарно тонкого двумерного полупроводника. Транзисторы имели физическую длину канала менее 5 нанометров и демонстрировали эффективность переключения, превышающую теоретический предел для кремния при сопоставимом размере.

Транзистор работает, контролируя поток электрического тока между состояниями «включено» и «выключено». По мере уменьшения размеров кремниевых транзисторов затвор, управляющий током, начинает терять способность полностью отключать устройство. Поэтому электроны могут просачиваться через транзистор, даже когда он выключен. Это приводит к потерям энергии.

В наномасштабе каждый элемент транзистора влияет на его производительность. Поэтому исследователи использовали технологию совместного проектирования для разработки и совместной оптимизации материала, архитектуры устройства и производственного процесса.

«Материал не может автоматически обеспечивать заданную производительность», — говорит Шэн Шэнь, профессор машиностроения и автор исследования. «Нужны инновационные идеи о том, как спроектировать правильную структуру устройства, чтобы реализовать все преимущества».

Инновацией команды стал воздушный зазор под каналом транзистора. Воздушный зазор помогает затвору транзистора лучше контролировать ток, чтобы уменьшить утечку.

Кроме того, исследователи изготовили транзисторы на 4-дюймовой (10-сантиметровой) пластине. Это показывает, что в конечном итоге технология может быть масштабирована для промышленного производства, а не использоваться только в одном наноустройстве в лаборатории.

Новости электроники МАХ I VK

#новостиэлектроники

С докладом «Современные технологии исследования характеристик полупроводниковых приборов» на конференции "Испытание и тестирование изделий электронной техники" 22 октября в Москве выступит Насонов Андрей Юрьевич, главный конструктор компании "Остек-Электро"

Когда проводятся исследования характеристик в процессе разработки полупроводниковых приборов как правило используются средства измерения, которые затруднительно использовать в дальнейшем при серийном производстве. Для этого более применимы тестеры, предназначенные для использования в составе автоматизированных линий. Однако они как правило имеют метрологические характеристики, уступающие лабораторным приборам. Развитие современных технологий позволяет сузить этот разрыв благодаря повышению уровня автоматизации измерений у лабораторных приборов.

Сайт конференции: https://b2bconf.ru/testing/
 

Правительство сохранит субсидирование радиоэлектроники вплоть до 2029 года

Минпромторг не стал отказываться от субсидирования программ по радиоэлектронике. Российским производителям проектом бюджета предусмотрено вплоть до 35,7 млрд руб. на создание электронной компонентной базы и модулей с 2027 по 2029 годы. Субсидии также предусмотрены для научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ (НИОКР) Российскому научному фонду в размере 2,8 млрд руб. в 2027–2028 годах. Это следует из пояснительной записки к проекту федерального бюджета на 2027 год и плановый период 2028 и 2029 годов.

Нацпрограммой запланировано, что к 2030 году доля российской электроники будет составлять не менее 70% на российском рынке, а совокупная выручка организаций электронной и радиоэлектронной промышленности вырастет до 6,3 трлн руб. В 2025 году, по данным Минпромторга, рынок радиоэлектроники составил около 4 трлн руб., а доля российских производителей — 62%. Прямая финансовая поддержка сосредоточена на критическом базисе отрасли: электронных компонентах и электронном машиностроении, сообщил представитель Минпромторга. Работа по компонентам и электронному машиностроению будет продолжена через Фонд перспективных исследований и Российский научный фонд, уточнили в министерстве. “Ъ” направил запрос в Минфин.

Подробнее: https://www.kommersant.ru/doc/9006842
 
#новостиэлектроники

JEDEC представила первый в отрасли стандарт кремниевой фотоники JESD264

По мере того как Intel, TSMC, Samsung и другие производители микросхем ускоряют свое продвижение в области кремниевой фотоники, эта технология приобрела первый в отрасли стандарт надежности.

В начале октября JEDEC представила JESD264, устанавливающий квалификационные требования и требования к надежности устройств кремниевой фотоники (SiPh).

Ключевые характеристики JESD264, отмеченные ассоциацией, охватывают четыре области: комплексные протоколы надежности для SiPh-матриц и интегрированных наборов микросхем; рекомендации по квалификации компонентов, включая модуляторы, фотодиоды и волноводы; четкие требования к процессам сборки и лазерной интеграции; и ожидания в отношении контроля и отслеживаемости производственного процесса.

В отличие от зрелых КМОП-технологий, кремниевой фотонике не хватает стандартизированных отраслевых практик для квалификации и подтверждения надежности

В то время как традиционная квалификация КМОП в основном фокусируется на электрических характеристиках, материалах и долговечности корпуса, фотонные интегральные схемы (PICs) объединяют оптические волноводы, ответвители, разветвители, модуляторы, фотодетекторы и связанную с ними электронику. Таким образом, при одном электрическом тестировании могут отсутствовать сбои, связанные с оптикой, включая снижение мощности, изменения вносимых потерь, дрейф длины волны и несоосность соединения.

Эти проблемы с надежностью становятся еще более очевидными по мере увеличения масштабов интеграции. В корпусах CPO, 2,5D/3D-чиплетов и многокристальных модулях оптические компоненты, электронные кристаллы, подложки, волокна и лазеры размещаются во все более компактных корпусах, где тепловое расширение, деформация, дефекты соединения, оптической центровки и интерфейса могут усугубляться под воздействием температуры, влажности или механических нагрузок. Это делает проверку надежности все более сложной задачей на системном уровне.

Стандарт JESD264 призван устранить этот пробел. По данным JEDEC, JESD264 разработан как общая основа для проектировщиков микросхем, производителей полупроводниковых пластин, производителей оптических систем, модулей и разработчиков систем, обеспечивающая большую согласованность при аттестации кремниевых фотонных систем по мере их более широкого внедрения.

Новости электроники МАХ I VK

Компания «Бюро 1440» представила серийный абонентский терминал спутниковой связи

Российская аэрокосмическая компания «Бюро 1440» на форуме «Цифровые решения» представила линейку абонентских терминалов для подключения к спутниковой связи нового поколения. В компании впервые показали серийный абонентский терминал и концепт компактной версии.

Серийная модель «1440.Ультра» обеспечит максимальную производительность и скорость передачи данных до 700 Мбит/с. Терминал может использоваться как стационарно – в промышленности, на удаленных территориях, инфраструктурных объектах и строительных площадках, – так и в движении. Серийная модель сохранила габариты предсерийного образца (600×600 мм), при этом масса снизилась на 30%. Терминал выдерживает широкий диапазон температур и имеет степень защиты IP67, то есть не боится пыли и погружения в воду.

Экосистема AIoT-решений для производства: зачем объединять интернет вещей и промышленный ИИ
 
Доклад Антона Грачевникова, руководителя направления Центра индустриальных продуктов и решений ПАО МТС, на конференции "IIoT-2026"
 
https://vkvideo.ru/video-177228143_456239497
 

Ученые Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" и Московского физико-технического института (МФТИ) разработали материал для умной одежды и носимых датчиков, который не ломается при сильном сгибании и дольше сохраняет работоспособность

Ученые разработали гибкие мемристоры на основе композита из полимера с добавлением наночастиц оксида молибдена. Такой состав позволяет мемристору работать стабильнее аналогов и выдерживать сильные изгибы. Разработка может использоваться в основе автономной носимой электроники - например, в умной одежде, фитнес-браслетах и медицинских датчиках.

Гибкие мемристоры часто делают на основе полимеров, однако такие органические устройства чувствительны к влаге и другому воздействию окружающей среды и со временем деградируют. Авторы использовали гибкую подложку из полиэтиленнафталата, а активный слой изготовили из парилена с добавлением наночастиц оксида молибдена, которые делают материал стабильнее.

Эксперименты показали, что полученные на основе нового материала устройства работают стабильнее аналогов. Они выдерживают более 1 тыс. циклов переключения при сохранении работоспособности в течение многих циклов сильного сгибания (включая изгибы с радиусом до 5 мм). Авторы отметили, что даже спустя полгода после испытаний характеристики мемристоров остались прежними и деградации не наблюдалось. При этом компьютерное моделирование показало, что нейронная сеть на основе созданных мемристоров может распознавать физическую активность человека по сигналам носимых датчиков с точностью около 90%.

Подробнее: https://tass.ru/nauka/28185287
 

#новостиэлектроники

Huawei и Qualcomm заключили многолетнее патентное соглашение в области 5G и искусственного интеллекта

Американский гигант Qualcomm впервые согласился платить за лицензирование и приобретение патентов у китайской компании Huawei Technologies в рамках «многолетнего соглашения о широкой патентной лицензии», охватывающего 5G, вычислительные технологии и искусственный интеллект.

По данным компании, Huawei расширила сферу влияния своей интеллектуальной собственности, заключив более 260 лицензионных соглашений с крупнейшими мировыми технологическими компаниями, включая Nokia, Samsung и Amazon, а также с местными производителями смартфонов, такими как Oppo, Vivo и Xiaomi.

До сделки с Qualcomm компания Huawei в августе урегулировала споры с HP, заключив многолетнее соглашение о взаимном лицензировании глобальных патентов, охватывающее их соответствующие патенты на Wi-Fi.

Согласно годовому отчету, в 2025 году телекоммуникационный гигант инвестировал в исследования и разработки 192,3 миллиарда юаней (28,7 миллиарда долларов США), что составляет почти 22% от его общего дохода. По состоянию на 2025 год Huawei, один из крупнейших в мире патентообладателей, владел 165 000 действующих патентов по всему миру.

В июне компания Huawei объявила, что начнет взимать роялти за свои технологии Wi-Fi 7, новейший стандарт беспроводной связи, по ставке 50 центов США за единицу. По словам компании, к концу 2025 года соглашения Huawei о патентном лицензировании охватывали 1,6 миллиарда устройств по всему миру.

#новостиэлектроники

Атомарно тонкие листы нитрида бора и углерода (BCN) могут решить ключевую проблему транзисторов для чипов следующего поколения

Если бы чипы можно было создавать из полупроводников толщиной всего в один атом, в них можно было бы разместить гораздо больше транзисторов на меньшей площади, потребляя при этом меньше энергии. Однако до сих пор развитие этой технологии сдерживала слабость транзисторов «p-типа», которые составляют половину каждого современного чипа.

В новом исследовании, опубликованном в Nature, ученые из Токийского университета показали, что атомарно тонкие листы нитрида бора и углерода (BCN) могут стать перспективным решением.

В современных чипах используются два типа транзисторов, работающих в паре. В транзисторах «n-типа» электрический ток переносится отрицательно заряженными электронами. В транзисторах «p-типа» носителями заряда являются дырки: вакансии, которые остаются после того, как из материала исчезают электроны, и движутся как положительные заряды.

Исследователи обнаружили несколько материалов толщиной в один атом, которые очень хорошо проводят электроны, но найти аналоги, которые так же хорошо проводят дырки, оказалось гораздо сложнее, что стало узким местом для всей технологии. Многие материалы-кандидаты имеют свои недостатки: они плохо проводят ток, разрушаются на воздухе или при нагревании, или их сложно производить в больших масштабах.

Ученые решили эту проблему, заменив часть атомов азота в нитриде бора, тонком, как атом, изоляторе с сотовой структурой, на атомы углерода.

Чтобы атомы углерода не слипались, исследователи использовали два компонента на основе пара: один обеспечивал стабильное поступление бора и азота, а другой медленно высвобождал углерод. Такой подход, основанный на «эпитаксии», позволил им вырастить пленки BCN размером с пластину, в том числе на кремниевых чипах с заданным рисунком.

После изучения структуры пленок с помощью микроскопии атомного разрешения ученые изготовили и протестировали 224 транзистора в обычных условиях. Результаты показали, что атомы углерода равномерно распределились по материалу, в основном замещая азот. Поскольку у углерода на один внешний электрон меньше, чем у азота, после каждого обмена электронами остается дырка.

Новости электроники МАХ I VK

В рамках создания «Объединенной микроэлектронной компании» в России планируют построить три новых фабрики, необходимых для производства чипов

Главным событием станет строительство «перспективной серийной» фабрики для пластин с диаметром 300 мм для выпуска чипов по топологии 14 нанометров.

Согласно графику вложений и плану работ, в 2027 г. начнется предпроектная работа по «перспективной серийной» фабрике на 300 мм и проработка базового техпроцесса (в т.ч. на 14 нм). Подготовка займет два года и должна закончится в 2029 г., а само строительство завершится до 2036 г.

В 2027 г. начнется строительство фабрики по производству модулей (без деталей проекта) и OSAT-фабрики по производству подложек для корпусов и модулей. OSAT (Outsourced Semiconductor Assembly and Test) — это специализированное предприятие, которое занимается контрактной сборкой изделий.

Быстрее всего в стране может появиться фабрика по производству модулей (в III-IV квартале 2028 г.). Под ними в стратегии поднимается законченный узел: блок питания, дисплей, навигация, радиотракт. А строительство OSAT-фабрики планируют закончить в 2031 г.

При этом и «НМ-Тех» строит фабрику для работы с пластинами 300 мм. Однако, судя по графику, работы по запуску линии зеленоградского предприятия и строительство новой фабрики идут отдельно и с разными сроками реализации. CNews задал вопрос на эту тему представителям Сбербанка и Минпромторга и ожидает ответа.

Подробнее: https://www.cnews.ru/news/top/2026-10-03_v_rossii_k_2031_godu_hotyat_postroit

С начала года мировые продажи полупроводников превысили 1 трлн. долларов

Мировые продажи чипов в августе выросли на 144,3% в годовом исчислении, и на 8% по сравнению с июлем

Ассоциация полупроводниковой промышленности (SIA) сегодня объявила, что мировые продажи полупроводников в августе 2026 года составили 159,7 млрд долларов, что на 8% больше по сравнению с общим объемом продаж в июле 2026 года в 147,9 млрд долларов и на 144,3% больше, чем общий объем продаж в августе 2025 года в 65,4 млрд долларов.

«В августе мировой рынок полупроводников рос 18-й месяц подряд, при этом продажи в Северной и Южной Америке, Азиатско-Тихоокеанском регионе и Китае обеспечили уверенный и стабильный рост по сравнению с прошлым годом, — заявил Майкл Роббинс, президент и генеральный директор SIA. — К августу годовой объем продаж полупроводников в мире уже превысил 1 триллион долларов, впервые достигнув этой важной отметки. По прогнозам, в 2026 году объем продаж превысит 1,6 триллиона долларов, и полупроводниковая промышленность вступает в новую захватывающую эру роста и инноваций».

В региональном разрезе продажи в августе по сравнению с аналогичным периодом прошлого года выросли в Северной и Южной Америке (180,9 %), Азиатско-Тихоокеанском регионе/прочих регионах (143,0 %), Китае (131,3 %), Европе (98,5 %) и Японии (62,3 %). Продажи в месячном исчислении выросли в Азиатско-Тихоокеанском регионе/прочих регионах (9,1 %), Японии (8,5 %), Северной и Южной Америке (8,2 %), Европе (7,5 %) и Китае (6,6 %).
 
Новости электроники МАХ I VK

#новостиэлектроники

Компании OpenAI и Synopsys, производитель систем автоматизированного проектирования микросхем, подписали многолетнее соглашение о совместной разработке модели искусственного интеллекта GPT-Synopsys

Она будет специально обучена и настроена для решения задач проектирования микросхем, начиная с описания чипа и заканчивая расположением миллиардов транзисторов на небольшой пластинке кремния.

В отличие от универсальной модели, подключенной к инженерному ПО, GPT-Synopsys проектируется так, чтобы стать экспертом в использовании самих инструментов: она будет учиться запускать рабочие процессы систем автоматизированного проектирования (САПР), интерпретировать результаты и многократно изменять проекты на основе этих результатов. Инженеры смогут задавать системе цели, связанные с энергопотреблением, производительностью и площадью, таймингом или верификацией. Затем агенты будут управлять инструментами, анализировать их вывод, вносить изменения и поэтапно двигаться к проверенным результатам, которые инженеры смогут просмотреть.

Подробнее: https://hightech.plus/2026/10/04/openai-i-synopsys-razrabativayut-model-ii-dlya-proektirovaniya-mikrochipov
 
 
#новостиэлектроники