속보: 중국 최대 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 4F² 기술을 적용한 서버용 DDR5 메모리를 올해 말까지 출시하겠다고 밝혔다.

4F²는 D램 셀 면적을 기존 6F² 구조보다 이론상 약 33% 줄여, 같은 크기의 칩에 더 많은 데이터를 저장할 수 있는 기술이다.

삼성전자는 10나노 이하 공정에서 4F² 기술을 도입해 2028년 관련 제품을 생산할 것으로 전망된다.

발표 일정만 놓고 보면 CXMT가 삼성전자보다 약 2년 앞서는 셈이다.

배경에는 기존 미세화 방식의 한계가 있다. 회로를 정교하게 만들수록 기술 난도와 생산비용이 함께 치솟고 있다.

CXMT는 생산능력도 공격적으로 늘리고 있다. 올해 말까지 월 30만 장의 D램 웨이퍼 생산능력을 확보할 계획이다.

장기적으로는 상하이와 허페이 신규 공장을 통해 월 60만 장, 두 배 수준까지 확대한다는 목표다.

이번 제품이 진입장벽이 높은 서버용이라는 점도 주목된다. 서버용 DDR5는 데이터센터와 클라우드 서버에 쓰이며 까다로운 고객사 인증이 필수다.

다만 연내 제품에는 4F² 기술이 일부만 적용될 가능성이 있고, 제품 공개와 대규모 양산은 별개의 문제다.

실제 경쟁력은 수율, 원가, 고객사 확보에서 판가름 날 전망이다.

중국의 추격이 범용 D램을 넘어 서버용 메모리로 번지고 있다.

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