🇺🇸 GaN. Участники рынка. США

GlobalFoundries переходит на GaN - США станет центром производства GaN, наряду с Китаем

Поскольку TSMC объявила о планах перестать выпускать полупроводники на пластинах GaN к 2027 году, этой возможностью воспользуется другой крупный производитель. GlobalFoundries намерена усилить свой бизнес в области GaN, предпринимая шаги, которые, по данным EE Times, могут сделать её ключевым центром производства GaN в США. Об этом рассказывает TrendForce.

10 ноября 2025 года GlobalFoundries объявила о заключении соглашения с TSMC о лицензировании технологий для 650В и 80В GaN-процессов. Высоковольтная 650В платформа, как сообщается, используется в таких устройствах, как адаптеры питания, приводы двигателей и фотоэлектрические преобразователи, в то время как средневольтные 80В узлы предназначены для систем питания серверов и ноутбуков.

EE Times отмечает, что компания TSMC, пионер в области GaN-на-кремнии, начала разработку GaN в 2011 году и начала массовое производство в 2015 году, преодолевая ряд таких технологических трудностей, например, как коробление пластин и контроль загрязнений. В отчёте говорится, что благодаря высоким стандартам надёжности TSMC и сертификации JEDEC/MIL-STD, GlobalFoundries может получить значительную выгоду от этого соглашения.

Navitas выбирает с кем остаться

Примечательно, что вскоре после того, как GF заключила лицензионное соглашение с TSMC, калифорнийская компания Navitas Semiconductor, которая было объявила в начале июля 2025 года о стратегическом партнёрстве с тайваньской Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) для развития технологии 200-мм GaN-на-кремнии, объявила о новом сотрудничестве с GF в области литейного производства. По данным EE Times, разработка запланирована на начало 2026 года, а производство полупроводников на основе GaN ожидается в том же году.

Navitas совершила прорыв в 2017 году, когда началось серийное производство силовых микросхем GaNFast производства TSMC, которые используются в быстрых зарядных устройствах таких брендов, как Anker, Lenovo и Xiaomi. С тех пор Navitas стала ключевым покупателем GaN-компонентов TSMC.

По оценкам TrendForce, в 2024 году Navitas будет занимать 16,5% мирового рынка силовых GaN-устройств, уступая только Innoscience (29,9%) и опережая EPC (12,4%), Infineon (10,3%) и Power Integrations (9,8%).

Создается американский GaN-хаб?

Примечательно, что, как отмечает EE Times, с переходом Navitas, отвечающей за почти половину производства пластин GaN TSMC, на GF, этот шаг может отражать более масштабные усилия по переносу стратегической цепочки поставок полупроводников в США с одновременным созданием устойчивой производственной базы для технологии GaN в США.

Похоже, эта идея набирает популярность. В конце 2024 года GlobalFoundries объявила о дополнительном финансировании из федерального бюджета США в размере $9,5 млн для наращивания усилий по производству GaN. EE Times также отмечает, что GF получила более $80 млн от правительства США на свои инициативы, связанные с GaN.

Тем временем GF также расширяет свои возможности в области GaN. EE Times подчеркивает, что в 2024 году компания приобрела интеллектуальные активы Tagore Technology в области GaN, что усилило ее стремление к крупномасштабному производству этой широкозонной технологии. Ожидается, что GF также захватит значительную долю существующего бизнеса TSMC по производству пластин GaN, особенно у американских поставщиков чипов GaN.

По мере того, как китайские конкуренты, во главе с Innoscience, укрепляют свои позиции на рынке GaN, эта технология становится всё более важным направлением для США в плане укрепления внутренней цепочки поставок полупроводников. Расширение GlobalFoundries подчёркивает этот стремления к расширению местных возможностей в области широкозонных полупроводников, которые найдут применение в самых разных областях — от центров обработки данных с искусственным интеллектом до электромобилей.

@RUSmicro