🇰🇷 Высокоскоростная память. HBM4. Корея

SK hynix готова начать выпуск памяти HBM4

Корейский производитель заявил, что завершил разработку 12-слойных чипов HBM4 и готов к их запуску в массовое производство. Тем самым SK hynix в очередной раз опередила двух своих основных конкурентов – корейскую Samsung и американскую Micron, закрепляя свое тотальное доминирование на рынке высокопроизводительной памяти. Об этом сообщило Reuters.

Компания завершила валидацию новых чипов и контроль качества.

HBM4 – 6-е поколение технологии HBM. Эти микросхемы оснащены 2048-битным интерфейсом ввода-вывода (у HBM3E был 1024-битный) и на 40% более энергоэффективны.

Компания уверяет, что применение новых чипов памяти обеспечит прирост производительности ИИ в системах на базе HBM4 примерно на 69%.

В реализации HBM4 скорость считывания данных достигает 10 Гбит/с на контакт – больше, чем в стандарте JEDEC, который требует 8 Гбит/с.

Чипы производятся по техпроцессу Advanced MR-MUF4 (Mass Reflow Molded Underfill), это 5-е поколение техпроцесса 10нм для памяти (1bnm).

Новые чипы HBM4, как ожидается, будут задействованы в ИИ-ускорителях Nvidia Rubin.

Для SK Hynix сегмент HBM стал основным, обеспечивая 77% выручки (по итогам 2q2025). Доля компании на рынке HBM – порядка 62% на середину 2025 года, у Samsung – 17%.

В Samsung надеются начать поставки своих HBM4 в 2026 году, будет использоваться более продвинутый техпроцесс 4нм FinFET для базового кристалла. Но SK hynix, очевидно, сохранит лидирующие позиции на рынке HBM, как минимум в ближайший год.

@RUSmicro