🇰🇷 🇳🇱 Фотолитографы. Производственные мощности. HI-NA. Корея. Нидерланды

Компании ASML и SK hynix собирают High-NA EUV на фабрике в Южной Корее

Компании SK hynix и ASML объявили о сборке системы EUV с высокой числовой апертурой Twinscan NXE:5200B на фабрике M16 в Ичхоне, Южная Корея. Изначально устройство будет служить в качестве платформы для разработки технологических процессов нового поколения, но в конечном итоге, через несколько лет, оно будет использоваться для массового производства памяти DRAM с использованием передовых технологических процессов. Об этом сообщает Tom's hardware.

Для SK hynix сборка одной из первых в отрасли систем EUV Twinscan NXE:5200B с оптикой с числовой апертурой 0,55 означает значительное опережение своих главных конкурентов Micron и Samsung, а также подавляющего большинства компаний в полупроводниковой отрасли, многие из которых еще не перешли даже на EUV с числовой апертурой 0,33. (Не понимаю, почему говорится о существенном опережении Samsung, которая еще в марте 2025 года привезла в Хвасонг своей первый High-NA EUV ASML EXE:5200. Это тоже модель с апертурой 0.55, которая дает 8нм на 1 экспозицию. Да, 5200 – это «предсерийная» модель, а 5200B у SK Hynix это «бизнес», то есть модель для использования в условиях массового производства. Она оптимизирована под высокую пропускную способность – до 175 пластин 300 мм в час. Возможно, именно это подразумевается под «существенным опережением»).

Twinscan EXE:5200B от ASML с объективом с числовой апертурой 0,55 обеспечивает разрешение 8 нм — тогда как ранее развернутые системы Low-NA EUV – не способны обеспечивать разрешение лучше 13 нм. То есть новые фотолитографы обещают возможность уменьшения размеров транзисторов в 1,7 раза и наращивание плотности их размещения на кристалле в 2,9 раз, причем за одну экспозицию. Инструменты EUV предыдущего поколения позволяют добиться этого с помощью дорогостоящего многошаблонного подхода.

NXE:5200B первоначально будет использоваться для ускоренного прототипирования DRAM следующего поколения, которые будут производиться с использованием технологических процессов, разработанных под установки EUV и DUV с низкой числовой апертурой (Low-NA EUV и DUV). В дальнейшем установку планируют использовать для разработки технологических процессов, которые будут опираться на специфические возможности Hi-NA EUV для обеспечения необходимого выхода годных и сокращения времени цикла. В одной из презентаций для инвесторов компания ASML оценила, что производители DRAM перейдут на установки EUV с высокой числовой апертурой (Hi-NA EUV) в 2030-х годах, так что SK Hynix явно старается «застолбить» свое технологическое первенство.

Быстрое прототипирование должно значительно ускорить разработку технологических процессов следующего поколения. Установка EUV с высокой числовой апертурой (Hi-NA EUV) позволяет создавать детальные прототипы структур DRAM (например, канавки конденсаторов, битовые линии, словарные линии) быстрее, чем это возможно на существующих установках EUV с низкой числовой апертурой (Low-NA EUV), что даёт существенный импульс НИОКР работам, проводимым SK hynix.

К 2030-м годам SK hynix, вероятно, сможет использовать этот инструмент для тестирования шаблонов, разработки новых топологий и оценки новых материалов, необходимых для производственных узлов, требующих использования инструментов для EUV-печати с высокой числовой апертурой, задолго до перехода на полномасштабное производство с использованием EUV-печати с высокой числовой апертурой.

Сборка первого литографа Twinscan NXE:5200B от ASML на площадке клиента (в данном случае на площадке M16 компании SK hynix знаменует собой важную веху для компании. Ранее SK hynix использовала оборудование Twinscan NXE:5000 на фабрике Intel D1X недалеко от Хиллсборо, штат Орегон, где уже были произведены десятки тысяч пластин. Системы NXE:5000 считаются предсерийными, но их можно модернизировать для повышения производительности, необходимой для крупносерийного производства.

@RUSmicro