🇷🇺 Производство микроэлектроники. Химия. Россия

В Томске начали производство HBr для микроэлектроники

Понемногу, вещество за веществом, в России запускают производство высокочистых материалов для производства микроэлектроники. Это все еще не более, чем начало пути, но шаг за шагом идет движение в сторону технологического суверенитета. Очередной такой шаг – в Томске запущено производство высокочистого бромистого водорода (HBr), об этом сообщает издание Tomsk.

Микротоннажное производство HBr запустили в инжиниринговом химико-технологическом центре (ИХТЦ) при Томском госуниверситете с планами выпуска до 650 кг в год и возможностью масштабирования объема производства. Этого должно хватить для полного обеспечения потребностей российских производителей микроэлектроники с тем, чтобы они могли отказаться от импорта из Китая и Европы.

Чистота вещества декларируется на уровне 5N (99.999%), для ее обеспечения была создана методика определения критически важных примесей, разработана система аналитического контроля. Качество продукта подтверждено паспортом бесзопасности химической продукции Института стандартизации.
В числе ожидаемых потребителей – Микрон, ОКБ Планета, ВЗПП-Микрон, Ангстрем и другие.

🎓 Бромистый водород используют, например, для анизотропного травления слоев поликремния при создании затворов транзисторов, метод обеспечивает высокую селективность к маске и подложке, а также контролируемую скорость травления и минимальное подтравливание (undercut). Также может применяться для формирования глубоких структур (например, в MEMS-устройствах). HBr применяют для удаления металлических слоев (в сочетании с Cl₂, например), травления барьерных материалов типа Ti, TiN, Ta. Можно говорить о преимуществах использования бромистого водорода перед Cl₂ или SF₆.

В ИХТЦ занимаются и другими веществами для производства микроэлектроники, в частности, центр производит прекурсор TDMAT (тетракис(диметиламидо)титан), используемый в процессах тонкопленочного осаждения (CVD и ALD процессах) – с его помощью создают, например, барьерные слои TiN, предотвращающие диффузию меди в кремниевую подложку в межсоединениях, электроды затворов транзисторов, формирования адгезионных слоев. До конца 2025 года здесь планируют наладить выпуск также трибромида бора с чистотой 99,99995%.

@RUSmicro