Кажется, это уже предел проектной нормы… Я не готов оценивать долговечность существования полупроводникового перехода такого размера, но точно скажу, что сомнения тут есть. Диффузии никто не отменял, независимо от материалов, можно спорить только о скорости процесса — а дрейф всего лишь нескольких атомов в структуре такого размера способен разрушить переходы в транзисторе.🤷🏻
Кроме того того, продемонстрировано и соединение двух таких пластин с формированием трехмерной вычислительной структуры. Их даже не склеивают, их просто накладывают друг на друга (представляете, с какой точностью их совмещают?!), а потом, с помощью нагрева, в дело вступают силы Ван-дер-Ваальса, соединяющие кремний с кремнием в сплошной кристалл на уровне межатомного взаимодействия.
И это мне кажется даже важнее, чем гонка за количеством атомов. Увеличивать плотность размещения элементов на плоскости дальше уже просто некуда, атомы имеют свои размеры, а вот 2-3-4-слойные** структуры уже интереснее. Мы, собственно, уже неоднократно такие структуры обсуждали, но IBM вывела технологию 3D сборки на принципиально новый уровень. Стыковка атомов... Это сильно впечатляет.
Разумеется, многослойные 3D процессоры с проектной нормой 0,7 нанометров появятся в реальных вычислительных системах не завтра, и даже не послезавтра (я бы поставил на срок до массового выпуска лет в десять) — но альтернативы этим технологиям, кажется, пока не просматривается.🧐
#теория
* - «0,7 nm» это маркетинговое название технологии. Физический размер элементов от 5 до 30 нм.
** — мне кажется, что такие структуры потребуют уже двухстороннего охлаждения. Если даже не трехмерного и многослойного какого-нибудь.