Я уже начал плавать в аббревиатурах разновидностей RAM, так что делаю короткий читшит:

- DDR5 SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) - 5-ое (текущее) поколение памяти. Отличается очень низкой латентностью. (От нее далее буду отталкиваться)

- GDDR (GDDR6 / GDDR6X / GDDR7) - Это всё разновидности VRAM (Video Random Access Memory). - Отличается очень широким каналом (x15-20 пропускная способность), но высокая задержка (x3-5) и плохая энергоэффективность

- LPDDR5X (и следующее поколение LPDDR6) (Low-Power DDR5X) - Изначально проектировалась для использования в телефонах и поэтому ее упор на энергоэффективности. Но с недавних пор используется в ноутбуках, PC и даже серверах. Чаще всего в составе UMA (Unified memory) - (Бывает программная и аппаратная - тут и дальше про аппаратную). Латентность у нее выше чем у DDR5, а в составе UMA дополнительно к этому она страдает от конкурентости (резкая деградация латентности при одновременной нагрузке на CPU и GPU), но экономит на копировании между DDR и VRAM (более не требуется). Ширина канала меньше чем у VRAM и сама память дешевле. Итого - это компромисс в латентности относительно DDR, и в ширине канала относительно VRAM, в угоду энергопотреблению и стоимости. Используется в чипах Apple M серии и Strix Halo / Ryzen AI Max.

- HBM (Hight Bandwith Memory) - HBM2e / HBM3 - самая "широкая" память на сегодняшний день уровня дата центров (NVIDIA H200, Instinct MI3 / MI4). Пропускная способность 4800 ГБ/с - ~6000 ГБ/с 😅. (Для сравнения с Apple M3 Ultra - 819 ГБ/с). Память с упором на пропускной канал. Очень дорогая, голодная, задержки еще больше чем у VRAM не смотря на то что она максимально физически близко к процессору

Далее надо добавить пару слов о формфакторах памяти. Помимо распаянной еще есть:

- UDIMM (Unbuffered DIMM) - тупо обычная десктопная RAM

- SO-DIMM (Small Outline DIMM) - маленькая ноутбучная RAM

- RDIMM / LRDIMM (Registered DIMM, Load-Reduced DIMM) - что-то там для серверов, скорее всего ни я ни мои читатели ее даже не увидят никогда. Ну суть в том чтобы можно было напихать сотни гигабайт оперативки в сервер и оно все еще работало.

- LPCAMM2 - (Low-Power Compression Attached Memory Module 2) - берем энергоэффективную LPDDR5X (о которой выше) но используем отдельно как SDRAM - получаем сменяемость (слот правда совсем другой) а в жертву приносим пропускную способность (ширина шины 128 бит максимум). Компромиссы самой памяти остались - пропускная способность (хоть и меньше чем у Unified memory, но все еще больше чем у SDRAM) и энергоэффективность за латентность. Важный момент - не нужно две планки как у DDR чтобы получить полную пропускную способность.

- CAMM2 - Странная вещь, последствия дефицита памяти и фантазии маркетологов Asus. Обычная DDR RAM, но в новом формфакторе который нужен для LPDDR

- CUDIMM / HUDIMM (Clocked / High-bandwidth Unbuffered DIMM) - в обычных UDIMM сигналы от контроллера памяти CPU идут напрямую в чипы DRAM. В RDIMM между ними сидит буфер, который "перепакетирует" сигналы. Буфер добавляет латентность, но позволяет вешать на канал больше модулей и держать сигнал чище. а CUDIMM/HUDIMM это гибрид: для данных буфера нет (низкая латентность), но добавляется один маленький буфер только для тактового сигнала. А нафига? На частоте 8000+ упёрлись в физический предел - такты уже стало невозможно синхронизировать из-за помех - так что добавили "повторитель" тактового сигнала прям на самой памяти. Так можно продолжать выжимать соки из DDR форм фактора. Вся DDR6 уже будет CUDIMM. Однако чем выше частота памяти тем больше она греется и больше потребляет.
- CSODIMM - ноутбучная версия CUDIMM (встречается редко)
- MRDIMM - серверная версия CUDIMM

- ZAM (Z-Angle Memory) - вот мы и добрались до самой свежатины - это новая архитектура DRAM с вертикальной укладкой кристаллов, разрабатываемая совместно Intel, SoftBank (через дочку SAIMEMORY) и японскими партнёрами (Fujitsu, PowerChip, Shinko Electric, Tokyo University, RIKEN), позиционируемая как прямой конкурент HBM для AI-датацентров. О ней в следующем посте.