imec доказала передачу 400 Гбит/с с новым лавинным фотодиодом на 5 В
Продолжение поста

В основе конструкции — структура с раздельным поглощением, зарядом и умножением (SACM), доработанная за счёт глубокого рецесса Ge/Si. Слой умножения истончили до менее 100 нм, а зарядовый слой убрали полностью. Именно это позволило одновременно получить широкую полосу, низкое напряжение и внутреннее усиление около ×2, соответствующее чувствительности 1,8 А/Вт.

Одинаковые характеристики в O- и C-диапазонах дают разработчикам оптических систем свободу выбора рабочей длины волны — это важно для масштабируемых межсоединений в ЦОД.

Следующие шаги imec: проверить надёжность APD в широком диапазоне температур и уровней оптической мощности, интегрировать его с высокоскоростным приёмником и довести технологию до зрелости на 300-мм платформе кремниевой фотоники.

Источник: EE Times Japan (🇯🇵)

#imec #оптоэлектроника #датацентры