🇯🇵 SiC 300мм. Монокристаллы | Пластины | Подложки. Япония

Японцы вслед за США и Китаем освоили SiC 300 мм

Японская Resonac объявила о том, что ей удалось вырастить монокристалл карбида кремния (SiC) диаметром 300 мм и изготовить из него полупроводниковую подложку.

Ранее Resonac наладила серийное производство SiC эпипластин 150 мм и уже отгружала и 200 мм пластины. Увеличение диаметра пластины до 300 мм позволяет кратно увеличить количество чипов, получаемых из одной заготовки, тем самым радикально снижая их себестоимость - это критически важно для любого глобального производителя.

Разработка проводилась с 2022 года в рамках национальной программы «Зеленый инновационный фонд» под эгидой агентства NEDO. Стоит отметить, что японцы включились в гонку, которая уже идет полным ходом на мировом рынке: китайская SICC заявила о создании SiC 300мм еще в ноябре 2024 года, американская Coherent анонсировала свои пластины в конце 2025-го и начала поставки образцов для ИИ-чипов летом 2026-го, а Wolfspeed рапортовала об успехе в январе 2026 года.

Рынок требует два основных типа SiC-подложек: N-типа для силовых полупроводников и полуизолирующие для радиочастотных устройств, включая оптические системы AR-очков. Монокристаллический SiC также рассматривают как материал для теплоотводящих подложек в ИИ-серверах.

📌 Напомню за что мы ценим SiC:

Карбид кремния - ключевой материал для силовой электроники в электромобилях, системах ВИЭ и дата-центрах. По сравнению с обычным кремнием SiC-подложки обеспечивают значительно меньшие потери энергии при преобразовании тока и эффективнее отводят тепло, что критически важно для повышения КПД тяговых инверторов и серверных источников питания.

Кроме того, уникальные теплопроводные свойства монокристаллического SiC делают его перспективным материалом для создания теплоотводящих интерфейсов в суперкомпьютерах и ускорителях искусственного интеллекта, где плотность теплового потока постоянно растет.

💎 Успех Resonac знаменует собой завершение формирования глобальной тройки стран-лидеров в теме SiC (США, Китай, Япония), что неизбежно ускорит падение цен на подложки и расширит применение карбида кремния. Конкуренция смещается от самого факта освоения очередного диаметра к способности обеспечить массовое производство пластин с приемлемым выходом годных и дефектностью, и здесь отставание Японии от Китая и США может оказаться критичным.

((по материалам TechPublisher / EE Times))

✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max