🇰🇷 Микросхемы памяти. Новинки. Участники рынка. Корея

SK hynix представила на CES2026 16-слойную HBM4 объемом 48 ГБ, наряду с SOCAMM2 и LPDDR6

SK hynix представила на CES2026 16-слойную HBM4 объемом 48 ГБ. Это - следующее поколение 12-слойной HBM4 (36 ГБ). Про техпроцессы не сообщается, но предположительно используется 4нм процесс для логической части и 10нм процесс для DRAM-слоев. Задействовано ли гибридное соединение.

Помимо 16-слойной HBM4, компания также представила свою 12-слойную HBM3E объемом 36 ГБ, которая, как ожидается, станет ключевым фактором развития рынка памяти в 2026 году.
Кроме того, ожидается, что SK hynix представила модули GPU для серверов ИИ с использованием HBM3E совместно с заказчиком, подчеркивая роль этой технологии в системах ИИ.

SOCAMM2 и LPDDR6

Помимо HBM, компания также представила SOCAMM2, модуль памяти с низким энергопотреблением, разработанный для серверов ИИ, а также LPDDR6, оптимизированный для ИИ на устройствах и обеспечивающий значительно более высокую пропускную способность данных и улучшенную энергоэффективность по сравнению с предыдущими поколениями.

321-слойная 2-терабайтная QLC NAND ориентирована на применение в СХД ИИ ЦОД

Что касается флэш-памяти NAND, компания продемонстрирует свой 321-слойный продукт 2-терабайтной QLC, разработанный для сверхъемких твердотельных накопителей (eSSD), поскольку спрос на такие накопители растет по мере роста спроса на ЦОДы ИИ.

Начало массового производства 321-слойного QLC NAND ожидается в августе 2026 года.

💎 Анонс подчёркивает стратегию SK hynix по переходу от поставки стандартной памяти к созданию дифференцированных решений, оптимизированных под ИИ

@RUSmicro