🇯🇵 Производство полупроводниковых структур. 1.4нм. Наноимпринтная литография. Япония

Япония разрабатывает технологию наноимпринтинга с шириной линии 10нм

Технология наноимпринтной литографии (NIL) предназначена для формирования рисунка логических полупроводниковых схем «класса» 1.4нм. Компания Dai Nippon Printing (DNP) заявляет, что уже испытывает технологию с планами начать серийное производство в 2027 году. Об этом рассказывает TrendForce.

В декабре 2025 года компания показывала технологию с шириной линии 10нм на выставке SEMICON Japan 2025 в Токио. Ширина линии 10 нм была достигнута с помощью так называемой технологии саморегулируемого двойного формирования рисунка (паттернинга) или SADP.

Если у японцев получится, это обеспечит альтернативу сверхдорогим и жадным до электроэнергии установкам ASML EUV. Как минимум, на отдельных этапах формирования рисунка на кристалле. Причем со снижением потребления электроэнергии чуть не на порядок относительно сегодняшнего уровня.

Все это здорово, но, чтобы это все стало производственными реалиями, нужно решить несколько серьезных инженерных проблем – обеспечить высокую точность совмещения (оверлея), низкий уровень дефектов, преодолеть изнашивание шаблонов. Пропускная способность NIL, конечно, ниже, чем у EUV-сканеров. И, коммерческих – не так уж просто увлечь производственников какими-то новыми, еще никем не апробированными решениями.

@RUSmicro, фото - Dai Nippon Printing