🇷🇺 Силовая электроника. СВЧ. GaN, GaAs. Производства структур на пластинах. Россия

К 2030 году на территории ростеховского предприятия Исток могут запустить крупносерийное производство кристаллов для силовой электроники

Об этом рассказывает CNews. Планируемая мощность производства может достичь 2 тысяч пластин диаметром 150 мм в месяц, по 1 тысяче пластин GaAs, и 1 тысяче – GaN.

Планируется формировать на них структуры СВЧ-транзисторов и монолитных ИС СВЧ.

Будут использоваться технологические нормы 500нм, 250 нм, 200нм и 100нм для GaAs, а также 250нм, 100нм, 60нм и 40нм (!) для GaN.

Новая фабрика расположится в подмосковном Фрязино.

Кроме фабрики в состав обновленного производства будет входить линии по производству подложек из высокоомного кремния, арсенида галлия и карбида кремния, а также дизайн-центр проектирования СВЧ-изделий.

Ранее сообщалось, что АО «НПП «Исток» им. Шокина» в рамках ОКР «Т-НГ-1» по заказу Минпромторга России разрабатывает технологический процесс изготовления и комплексный инструмент проектирования (КИП) МИС СВЧ на основе гетероструктур нитрида галлия на подложках карбида кремния с топологической нормой 0,25 мкм (DH025). Одновременно с ОКР завершается оснащение нитрид-галлиевой производственной линии технологическим и инженерным оборудованием. В 2026 году разработанный комплексный инструмент проектирования будет доступен для всех заинтересованных дизайн-центров.

По данным зам. гендиректора Истока Сергея Щербакова, на сегодня в России выпуск СВЧ приборов на основе GaAs составляет не более 5 тысяч пластин диаметром 76 мм ежегодно, что закрывает не более 20-25% потребностей внутреннего рынка.

На Истоке не прочь также создать полигон для тестирования технологического оборудования и особочистых материалов. Площадь могла бы составить 10 тыс. кв.м, объем финансирования – порядка 5.8 млрд. Его можно было бы ввести в эксплуатацию с 1q2027 оптимистично считают в Истоке.

Что осталось для меня неясным:

❓ Идет ли «замах» на предприятие полного цикла или нет, в частности, планируют ли на Истоке выращивать монокристаллы самостоятельно или будут покупать готовые?
Будет ли свое корпусирование?

❓ На каком оборудовании будет основано производство полупроводниковых структур на кристалле, в частности, на основе 40нм техпроцессов?

Разработкой установки для эпитаксии GaN-on-Si в России занимались, например, ученые и инженеры АО НИИТМ (ГК Элемент), НТЦ микроэлектроники РАН, Петербург и ООО Софт-Импакт. Причем речь шла о пластинах 200 мм, более интересных, чем 150 мм.

В 2026 году АО НТО собиралось представить линейку специализированных унифицированных установок плазмохимического травления и осаждения для серийного производства СВЧ транзисторов и МИС на основе GaAs и GaN.

АО «НПП «Исток» им. Шокина» в рамках ОКР «Т-НГ-1» по заказу Минпромторга России разрабатывает технологический процесс изготовления и комплексный инструмент проектирования (КИП) МИС СВЧ на основе гетероструктур нитрида галлия на подложках карбида кремния с топологической нормой 0,25 мкм (DH025). Одновременно с ОКР завершается оснащение нитрид-галлиевой производственной линии технологическим и инженерным оборудованием. В 2026 году разработанный комплексный инструмент проектирования, как ожидается, будет доступен для всех заинтересованных дизайн-центров.

Темой GaN давно и не без успеха занимаются питерское АО Светлана-Рост и воронежский НИИЭТ, зеленоградские ЗНТЦ и АО ПКК Миландр, а также АО ОКБ-Планета из Великого Новгорода и некоторые другие российские предприятия.

@RUSmicro