🔬 Горизонты технологий. Многослойные КМОП. Саудовская Аравия

В KAUST, похоже, обошли imec - ученые из Саудовской Аравии создали микросхему, в которой транзисторы размещены не в одной плоскости а 6-слоев, каждый из которых является транзистором. Предыдущий рекорд (от imec) представлял собой 2-слойное расположение транзисторов.

То есть мы вновь говорим об 3D-упаковке (не путать с корпусированием), но не на уровне кристаллов, которые, например, стекируются в "небоскреб" как в микросхемах памяти, а на уровне транзисторов.

Этот метод позволяет самым серьезным образом повысить плотность изделий на мм и уменьшить длину межсоединений.

В разных слоях задействованы транзисторы разной проводимости - n-типа на основе оксида, быстрые и энергоэффективные и p-типа - органические, гибкие и дешевые.

Метод, конечно, технологически сложный (40 этапов литографического процесса!), транзисторы в экспериментальной структуре из 6 слоев транзисторов были созданы при температуре не выше 100°C чтобы не повредить нижние слои.

На основе этой технологии пока что созданы лишь отдельные модули - инверторы и другие логические вентили (NOR, в частности).

В перспективе от этого метода можно ожидать востребованности там, где важна гибкость и малое энергопотребление - носимые датчики, гибкие дисплеи, электроника IoT.

Технологию еще только предстоит адаптировать к массовому промышленному производству.

Подробнее - в источнике: 3dnews

@RUSmicro, изображение - Nature Electronics 2025