🇺🇸 Научные исследования. Фотолитография. США

Ученые Университета Джонса Хопкинса экспериментируют с методом химического жидкофазного осаждения (CLD) и B-EUV литографией

Исследователи разработали инновационный метод производства микросхем, который может лечь в основу будущих поколений более компактных, мощных и доступных электронных устройств — от смартфонов до авиационной техники.

В основе метода — новый класс металло-органических материалов (резистов) и процесс их нанесения, позволяющий создавать сверхминиатюрные элементы. Традиционные материалы не выдерживают воздействия мощного излучения, необходимого для создания элементов размером менее 10 нанометров.

Ученые предложили метод химического жидкофазного осаждения (CLD) для точного ( с точностью до 1 нм) нанесения на кремниевую пластину слоя металла (например, цинка) и органического компонента (имидазола). Под воздействием излучения металл генерирует электроны, которые запускают химические превращения в органике, формируя заданный наноразмерный узор.

Технология CLD позволяет быстро тестировать множество комбинаций «металл-имидазол» для оптимизации процесса. Это особенно важно для перспективной технологии B-EUV-литографии (использующей излучение с длиной волны ~6,5 нм), которая должна прийти на смену современной EUV-литографии в следующем десятилетии. Например, цинк, неэффективный для текущих стандартов, показывает отличные результаты для B-EUV. Впрочем, для новой технологии подходит не только цинк, но и ряд других металлов, в экспериментах отобрано уже не менее десятка альтернатив.

@RUSmicro по материалам Phys .org