🦉 Школа молодых учёных
Черникова Анна Георгиевна, к.ф.-м.н., НЦМУ «Центр перспективной микроэлектроники» МФТИ:
При уменьшении длины канала транзистора до 10 нм и ниже использование объёмного кремния сталкивается с серьёзными проблемами, и на смену ему может прийти двумерный материал MoS₂. Однако его внедрение затруднено из-за проблем с интеграцией – прежде всего с формированием самого слоя MoS₂, а также контактов и осаждением high-k диэлектриков. Для решения этих задач уже существуют коллаборации по разработке реактора и процессов формирования MoS₂, в которых добиваются хорошей однородности материала, что позволяет преодолеть ограничения интеграции MoS₂.
#ФорумМикроэлектроника
#ШМУ #ШколаМолодыхУчёных #МФТИ #Черникова