Два центра внедрения микроэлектроники появятся в Зеленограде, еще один — в Петербурге. Правительство планирует потратить на них почти 54,5 млрд руб.

На «Базовый центр» выделили 50 млрд руб. — он будет работать с микроэлектроникой и силовой электроникой по технпроцессу 250–90 нм на пластинах диаметром 200 мм. Площадь центра составит 9 тыс. м². Второй центр, «Стартовый», возведут на базе Национального исследовательского университета «Московского института электронной техники» (НИУ МИЭТ). На него выделили 4,5 млрд руб. «Стартовый» будет работать на пластинах диаметром 100–150 нм, его площадь составит 3 тыс. м².

Оба центра введут в эксплуатацию в 2028 году. Немногим ранее, в 2027 году, запустят центр «СВЧ-электроники» на базе ФТИ им. Иоффе в Санкт-Петербурге. Он будет работать по топологии более 350 нм, с пластинами 100–150 мм. Этот центр будет значительно скромнее по масштабам — всего 0,5 тыс. м². Вложения на этот проект государство не планирует.