TGViewer
Channel Public Channel
С первой ревизии

С первой ревизии

@hardware_design

Вместе стремимся к идеалу в разработке электроники.
Рассказываю про схемотехнику, топологию и архитектуру сложных систем.
Subscribers
1.11K
Photos
128
Videos
1
Links
69

Showing posts older than #208 · Back to latest

Older Posts 17 shown
Post #207 2.83K
Вижу мнения разделились, но мне тут подсказали идею получше. Действительно, можно ограничится чатом, прикрепленным к комментариям.
Те, кому интересно могут вступить:
https://t.me/+EkgrfyOFA50yMzBi
Telegram С первой ревизии чат You’ve been invited to join this group on Telegram.
  • 🔥 5
  • 👍 4
  • ❤ 1
  • 👎 1
Post #205 2.6K
Заметил, что число подписчиков плавно подбирается к 1000. Это действительно приятно. Рад видеть, что тут собрались люди, которым интересна разработка электроники. А знакомые имена в числе подписчиков радуют вдвойне.

Хочу поблагодарить всех, кто помогал с распространением материала и участвовал в обсуждениях. Я, со своей стороны, буду стараться и дальше публиковать интересный технический контент.

Кажется, настало время организовать полноценный чат к каналу. Нет возражений?
  • ❤ 10
  • 👍 10
  • 🔥 3
  • 👌 1
Post #204 3.03K
Источник от LT, которому не нужен делитель.

Мы привыкли, что у большинства источников присутствует вывод FB. На него подключается поделенное напряжение с выхода преобразователя и сравнивается с внутренним опорным источников Vref (обычно от 0.4 до 0.6В).
В LT8625S обратную связь сделали наоборот. Внутренний источник тока 100мкА+/-0.8% совместно с внешним резистором Rset формирует Vref. Далее выходное напряжение сравнивается с полученным Vref.
Такой подход позволяет получать выходное напряжение от Vin-0.9 до 0В. Также снижаются шумы от Vref, резисторов в обратной связи (любые шумы на нижнем резисторе или Vref масштабируются на величину, обратную коэффициенту деления).

Не уверен, что такой прием станет популярным. Все таки спроектировать источник тока сложнее, чем источник напряжения. Кроме того, редко требуется настолько низкий уровень шумов в импульсных преобразователях.
В любом случае LT показывает как можно по новому взглянуть на классические схемы.
  • ❤ 11
  • ✍ 8
  • 👏 2
Post #203 3.43K
Моя большая статья про hotswap. Разбираю все: от теории и физических явлений до применения конкретных микросхем и конструктивных решений. Приглашаю в комментарии для обсуждения.
  • 🔥 17
  • 👍 5
  • ❤ 3
Post #202 6.82K
Нашел в закромах полезную книжку с обзором большинства существующих интерфейсов. Часть, конечно, уже устарела, но ничего.

Отлично подходит в качестве справочника или для быстрого повторения перед собеседованием. По каждому интерфейсу короткая выжимка из спецификаций, области применения, физический уровень, производители микросхем. Определенно полезная книга для разработчиков.
  • 👍 11
  • ❤ 9
  • 🔥 7
  • 💯 1
Post #201 3.39K
RHPZ в повышающих преобразователях

Начнем с теории. Известно, что в системе управления преобразователем существуют полюса и нули. На передаточной характеристике полюса создают наклон амплитуды -20дБ/Дек и задержку фазы на 90°. Нули же создают наклон +20дБ/Дек и опережение фазы на 90°. Нули компенсируют полюсами и наоборот. Для синтеза нужной характеристики полюса и нули комбинируют так, чтобы на нужной частоте среза был определенный запас по фазе. Это все работает до момента, пока нули и полюса лежат в левой области комплексной плоскости. Называются они LHP (Left hand plane).

В повышающем преобразователе передача энергии отличается от понижающего. Вначале энергия накапливается в индуктивности во время открытия нижнего ключа, далее передается на выход с помощью диода. Ток нагрузки равен току диода и выражается формулой:
Iload = ID = IL*(1-D)
Где D - скважность

Теперь представим, что нагрузке резко потребовалось больше тока. Логично накопить больше энергии в индуктивности и передать ее на выход. Для этого система управления увеличивает время открытия ключа (увеличивает D). Казалось бы, все правильно - средний ток, поступающий на выход должен увеличиться. Однако, поскольку передача энергии в нагрузку идет через диод, его мгновенный средний ток за период снизился (в соответствии с формулой). Был Id0, стал Id1, как показано на картинке сверху. Конечно, через некоторое количество периодов ток в индуктивности увеличится, что приведет к повышению тока через диод и в нагрузку. Однако мгновенное значение тока в момент изменения D0->D1 уменьшилось с Id0 до Id1. Чем больше индуктивность, тем дольше ток будет приходить к номинальному значению (ток через индуктивность не может нарасти мгновенно).

Данный эффект создает ноль в правой области комплексной плоскости (RHPZ - Right hand plane zero). Такой ноль создает наклон +20дБ/Дек и задержку фазы на 90°. Он опасен тем, что его невозможно скомпенсировать, поскольку нет удобных способов создать наклон -20дБ/Дек и опережение фазы на 90°. Если посмотреть на переходной процесс, видно, как RHPZ создает падение выходного тока, напряжения и малый (или нулевой) запас по фазе, что ведет к осцилляциям. Еще одна неприятность - положение этого нуля зависит от нагрузки и входного напряжения.

Так как же от него избавиться? Существует несколько способов. Выбор будет завесить от применения вашего источника.

1. Использовать дополнительный контур обратной связи по току. В этом случае RHPZ по напряжению останется, но за счет обратной связи по току он практически перестанет влиять на переходной процесс. Однако дешевые повышающие источники управляются в основном только по напряжению.
2. Использовать преобразователь в режиме прерывистого тока (DCM). В этом случае передаточная функция сильно упрощается, из нее уходит RHPZ. Однако в данном режиме сильно страдает КПД и появляется значительно больше шумов.
3. Использовать видоизмененную силовую часть или собственную цифровую систему управления. Думаю, довольно очевидно, что в этом случае вы потратите гораздо больше денег и времени, чем на готовое решение.
4. Построить систему управления так, чтобы частота единичного усиления находилась сильно ниже частоты RHPZ. Безусловно, это замедлит вашу систему управления, зато она будет стабильна. Это решение чаще всего и используют в бюджетных преобразователях.

Остановимся на последнем пункте подробнее. В пособии от TI рассказывают как это сделать. Предлагается максимально раздвинуть полюс w0 (сформированный LC) и RHPZ. Для этого вводят коэффициент М. Чем больше М - тем дальше полюс w0 от RHPZ и тем больше запас по фазе. Далее добавляют буст по фазе (регулятор 2ого рода), а частоту среза располагают примерно между w0 и RHPZ.
Поскольку положение RHPZ зависит от L, сдвинуть его вправо можно уменьшением индуктивности. Чем меньше катушка, тем дальше RHPZ от частоты среза и тем больше запас по фазе. Во временной области все также логично: чем быстрее катушка способна изменить ток, тем меньше будет виден эффект на выходе. Внизу можно увидеть графики переходных процессов для разных М. Для керамики предпочтительно М = 15.
  • 👍 13
  • 🔥 3
  • 🤔 2
  • ❤ 1
  • 💯 1
Post #197 2.71K
Current Mode-Controlled DC-DC Regulators P1.pdf511.4 KB Current Mode-Controlled DC-DC Regulators P2.pdf483.8 KB Current Mode-Controlled DC-DC Regulators P3.pdf675.9 KB Current Mode-Controlled DC-DC Regulators P4.pdf838.8 KB
Отошли от празднования?
Тогда вот материал, где How2power вместе с TI подробно разбирают обратную связь DC-DC по току. Полезно изучить, учитывая, что современные преобразователи все чаще уходят от регулирования только по напряжению.
  • 👍 20
  • 🔥 10
  • 😱 2
Post #196 2.5K
Все торопятся закрыть задачи до нового года, а я завершаю серию статей про разбор схем Macbook. В этой части я объединил переработанную и дополненную часть 3 с канала и разбор оставшихся на страниц. Как по мне, получилось более цельно и понятно.
  • 🔥 10
  • 👍 5
  • ❤ 4
Post #195 1.45K

Forwarded from Господа Топологи

https://t.me/addlist/Mf0gmPX2cwM0MTIy
На основании ваших ответов на опрос - коммьюнити подборка каналов. Если вы хотите, чтобы ваш канал или не ваш канал был в ней - сообщите нам!
Telegram Электроника Lock Dok invites you to add the folder “Электроника”, which includes 12 chats.
  • 👍 5
  • 🥰 1
Post #194 2.69K
Объединил две части с разбором схемы Macbook pro, отредактировал неоднозначные моменты и выложил на Хабр. Кто еще не читал, можно глянуть там.
  • 🔥 12
  • ❤ 5
  • 😍 1
Post #192 3.9K
Typical High-Speed Layout Constraints versus Signal Speed.pdf109.4 KB
Наткнулся на топологические правила для сигналов в зависимости от их частоты. Есть вопросы к некоторым правилам, но в целом хорошие рекомендации, что думаете?
  • ❤ 6
  • 🔥 6
  • 👍 4
Post #190 4.38K
Post #189 4.31K
Проектировать свои схемы всегда интереснее, но также полезно анализировать и перенимать чужой опыт. В связи с этим решил написать статью, в которой анализирую материнскую плату от Macbook Pro 15''. И могу сказать, что у Apple определенно есть хорошие решения.
  • ❤ 18
  • 👍 9
  • 👏 7
  • 🔥 3
Post #188 3.27K
SIJ-OCT-EBOOK-2025-v4.pdf16 MB
Опубликовали новый выпуск SI журнала. Еще не читал, но на первый взгляд имеется парочку интересных статей
  • 🔥 11
  • 👍 2
  • 👌 1
Post #187 3.7K
Signal_Integrity_Characterization_of_Via_Stubs_on_High_Speed_DDR4.pdf3.3 MB
Наглядный пример того, зачем высвреливают переходные отверстия для высокочастотных сигналов.

Предположим, вы трассируете печатную плату. Требуется соединить высокоскоростной шиной две микросхемы (в данной статье DDR4), расположенных на верхнем слое. С большой вероятностью соединить две большие микросхемы без пересечения проводников не выйдет. По итогу придется переходить на внутренние слои. Для удешевления в большинстве коммерческих плат не используют слепые и глухие переходные отверстия. Таким образом, если вам нужно перейти на внутренние слои, переходное отверстие будет насквозь проходить от верхнего до нижнего слоя. Поскольку вы перешли с верхнего слоя на 3 или, например, 5 слой, оставшийся метал переходного отверстия (с 3/5 слоя до самого низа) будет являться стабом.

Известно, что отросток от линии длинной 1/4 волны сигнала будет полностью отражать сигнал. Чем ближе участок от слоя 3/5 до нижнего слоя к 1/4 волны, тем больше от него будет отражение. В статье рассматривают 3 случая:
• Соединение двух чипов без стабов;
• Соединение двух чипов со стабом;
• Соединение чипа и DIMM модуля с двумя стабами.
Во втором случае при длине стаба от 73.1 милов интерфейс не проходит по BER. В третьем случае автор почему то выбрал слишком большую длину тракта и интерфейс не прошел по BER даже без стабов (со стабами еще хуже, что видно на картинках 18-19.

Итог: стабы - это плохо, особенно на толстых платах. Самый дешевый способ (помимо намеренного подвода проводников с нижних слоев) их избежать - высверливание переходных.
  • 👍 17
  • 🔥 4
  • ❤ 3
Older posts →
Threads Profile ViewerView any public Threads profile without an account.Open ThreadLook →Writing with AI? Make it sound human.Metric37 rewrites AI drafts so they read naturally. Free AI detector, 1,500 words free.Try Metric37 →