Всем привет, меня зовут Евгений Малышев, наша команда занимается разработкой имплантов для мозга - устройств с сотнями электродов, являющихся основной нейроинтерфейсов, зрительных протезов и т.д., у нас большой опыт в области микрофабрикации (сам 80% времени провожу проектируя фотошаблоны и работая в чистых помещениях) и бэкграунд в области микроэлектроники (например, мой диплом бакалавра посвящен HEMT и СВЧ-электронике).

В настоящее время для передачи сигналов на электроды мы используем схему на дискретных компонентах (куча мультиплексоров и "делителей" напряжения, управляемых сдвиговыми резисторами), но очень хочется сделать целиком имплантируемую систему, причем функционал таких асиков как Intan RHS 21... нам более чем избыточен.

В связи с этим мы ищем героя, которому было бы интересно присоединиться к нашему проекту (как минимум на время) и разработать кристалл для последующего заказа в wafer space и т.д. Проект инициативный, у нас нет больших грантов, но тысяч 400-600 в ближайшее время найти сможем.

Краткое техническое описание: чип получает последовательность адресов куда направить стимулирующий импульс (импульсы идут раз в 50-100 мс), а также множители амплитуды (некоторые электроды близко к чувствительным клеткам и на соответствующих выходах напряжение стимула кратно уменьшаем), на основе полученных цифровых сигналов (например, подать стимул на выходы 15, 36, 99) кристалл в начале такта стимуляции коммутирует ключами аналоговый вход или встроенную в кристалл АЦП с транзисторными сборками выбранных аналоговых выходов (сборка, например, 4 бита, что позволяет выбирать коэффициент усиления от 1/8 амплитуды аналогового входа до 15/8 = 1 + 1/2 + 1/4 + 1/8). Важно что сигнал биполярный, амплитуда от пары милливольт до ~4 вольт.