В СО РАН нашли способ сохранить свойства диоксида гафния при нагреве

В пресс-службе Института физики полупроводников (ИФП) СО РАН сообщили, что ученые разработали способ стабилизации тонких пленок диоксида гафния для использования в электронике. Улучшенные пленки получили при чередовании слоев диоксида гафния и оксида алюминия в соотношении 15:1. Материал выращивали методом атомно-слоевого осаждения в Курчатовском институте.
https://www.ferra.ru/news/v-rossii/v-so-ran-nashli-sposob-sokhranit-svoistva-dioksida-gafniya-pri-nagreve-24-09-2026.htm