Компании CXMT удалось первой среди мировых конкурентов добиться прогресса в организации массового производства памяти DRAM с вертикальной ориентацией транзисторов

Она начнёт выпускать её уже к концу текущего года, ориентируясь на серверный рынок.

Как сообщает BigGo Finance, президент CXMT Цао Каньюй (Cao Kanyu) на четвёртой Конференции по чипам и чиплетам сообщил вчера, что эта компания к концу текущего года наладит поставки передовой DDR5 собственной разработки в исполнении RDIMM для серверных систем. Новейшая архитектура 4F2 подразумевает вертикальную компоновку транзисторов, обеспечивая лучший контроль за эксплуатационными параметрами затвора, снижая токи утечки и борясь с так называемыми «эффектами короткого канала». Помимо прочего, вертикальная ориентация транзисторов в кристалле памяти позволяет повысить плотность их размещения, увеличивая ёмкость чипа.

Величина 4F2 указывает, что одна ячейка памяти занимает лишь в четыре раза бóльшую площадь по сравнению с квадратом размера минимального элемента ячейки. Массово выпускаемая сейчас память характеризуется параметром 6F2, занимая больше площади на кристалле в пересчёте на одну ячейку. Размещая больше транзисторов на единице площади, CXMT сможет выпускать более ёмкую память.

На первых этапах освоения архитектуры 4F2 компания CXMT полагалась на планарные транзисторы и унифицированную литографию, и такие прототипы уступали массовым решениям класса 6F2. Переход к третьему измерению в случае с 4F2 позволил развести процессы изготовления DRAM и КМОП-структур и перейти к гибридному сращиванию кремниевых пластин для организации высокоскоростных соединений. Плотность логических элементов и ячеек памяти стало возможно оптимизировать независимо друг от друга, и свойственные монолитному дизайну ограничения при этом отпали.

Подробнее: https://3dnews.ru/1149759/kitayskaya-cxmt-pervoy-v-mire-nachnyot-postavlyat-peredovuyu-ddr5-s-vertikalnimi-tranzistorami-v-kontse-etogo-goda

#память #новостиэлектроники