شرکت Aratas، اسپین‌آف Omron، رله MOSFET مبتنی بر SiC مدل G3VH را با تحمل ولتاژ تا ۳۳۰۰ ولت معرفی کرد.

شرکت Aratas America که پیش‌تر با نام Omron Electronic Components فعالیت می‌کرد، رله جدید G3VH مبتنی بر MOSFET کاربید سیلیسیم (SiC) را معرفی کرده است. این رله برای ولتاژهای بار ۱۸۰۰ ولت و ۳۳۰۰ ولت طراحی شده است.

این رله دارای استحکام عایقی ۵۰۰۰ ولت RMS بین ورودی و خروجی است؛ یعنی بخش کنترل ولتاژ پایین را از بخش سوئیچینگ ولتاژ بالای مدار به‌خوبی ایزوله می‌کند.

رله G3VH در دو نوع پکیج عرضه می‌شود:

ترمینال PCB
- پکیج DIP شش‌پایه مخصوص نصب سطحی (SMD)

در مجموع، شش مدل مختلف ارائه شده که در دو خانواده اصلی قرار می‌گیرند:

رله G3VH-181: مناسب ولتاژ بار تا ۱۸۰۰ ولت
رله G3VH-331: مناسب ولتاژ بار تا ۳۳۰۰ ولت

چرا استفاده از SiC مهم است؟

یکی از ویژگی‌های مهم این رله، استفاده از کاربید سیلیسیم (SiC) در MOSFET آن است. SiC نسبت به سیلیکون دارای میدان الکتریکی بحرانی بسیار بالاتری است؛ بنابراین می‌توان یک قطعه SiC را برای تحمل ولتاژ بالا با ناحیه درِفت (Drift Region) نازک‌تر طراحی کرد.
@Moallemekhoob