🤩Секция №4 «Технологии и компоненты микро- и наноэлектроники»
🤩Гаранжа Владимир Анатольевич, д.ф.-м.н., профессор ФИЦ ИУ РАН:
Мы применили алгоритмы решения задачи оптимальной картографии Чебышёва к вычислительной проекционной фотолитографии для оптимизации криволинейных фотошаблонов с целью повышения разрешения действующего техпроцесса. Простой псевдо-Чебышёвский алгоритм позволил решить сложные задачи повышения разрешения фотолитографии на существующем оборудовании предыдущих поколений. А чебышёвские отображения на основе алгоритма QIS позволяют добиться повышения разрешения на современном и перспективном оборудовании.
🤩Фёдоров Игорь Юрьевич, к.ф.-м.н., СБЕР:
Криволинейные маски позволяют скомпенисовать искажения оптики сканера и получить большее топологическое разрешение чипов при той же длине волны излучателя литографа. Многоуровневая оптимизация рисунка маски необходима для получения лучшего результата, но связана с большими затратами времени на вычисления. Сейчас мы ведём адаптацию этого подхода для отечественной технологии 130 нм.
🤩Кравченко Игорь Витальевич, к.ф.-м.н., ФИЦ ПХФ и МХ РАН
Технологии наноимпринтной литографии уверенно переходят из экспериментальных в производственные. Они позволяют получить высокое разрешение независимо от длины волны, обеспечивают масштабируемость, низкую стоимость и возможность создания трёхмерных структур. Мы выявили оптимальные режимы наноимпринтинга с целью создания отечественной установки с разрешением в пару сотен нанометров. В перспективе – импортозамещение японских и китайских аналогов с нормами в десятки нанометров.
#Микроэлектроника2026 #Гаранжа #Фёдоров #Кравченко