Физтехи обнаружили встроенное электрическое поле в топологических изоляторах

Коллектив физиков из МФТИ и МГУ в составе международной команды обнаружил, что на поверхности слоистых топологических изоляторов GeBi₄Te₇ и MnBi₄Te₇ возникает встроенное электрическое поле — следствие перераспределения заряда между разными слоями кристалла из-за атомных дефектов.

Слоистые кристаллы GeBi₄Te₇ и MnBi₄Te₇ из семейства 147 удобно представить как «слойку»: кристалл собран из чередующихся блоков двух сортов — пятислойных (QL, типа Bi₂Te₃) и семислойных (SL, типа GeBi₂Te₄), скрепленных слабыми вандерваальсовыми связями.

При раскалывании такого кристалла наружу может выйти либо QL-, либо SL-блок. Оказалось, что от того, какой именно блок оказался сверху, заметно зависят электронные свойства поверхности.

📖 Работа опубликована в журнале Communications Materials.

Источник фото: ИИ-генерация, Midjourney 8.1

Исследование поддержано Российским научным фондом и Министерством науки и высшего образования РФ.

#новостиЗАнауку