投资研究机构伯恩斯坦（Bernstein）最新报告指出，中国华为最新研发的“麒麟9050 Pro”芯片，在未取得极紫外光（EUV）曝光机的情况下，透过DUV多重曝光与逻辑折叠技术，性能获得大幅提升，与苹果芯片的技术差距已缩小至约3年。

《南华早报》报道，伯恩斯坦分析，麒麟9050 Pro采用中芯国际N+2 或 N+3制程制造，效能等级相当于7纳米。由于美国严格实施先进芯片出口管制，导致中国厂商无法取得ASML生产的极紫外光（EUV）微影设备，华为转而采用深紫外光（DUV）多重曝光技术，并配合“韬定律”框架下的“逻辑折叠”技术，将逻辑单元垂直堆叠与密集互连，进而缩短讯号传输距离。

这项架构创新使电晶体密度由以往每平方毫米约1亿 5500 万个，大幅增至约2亿3800万个，增幅超过 50%，密度表现已直逼台积电第一代3纳米制程技术。

在Geekbench 6多核心测试中，麒麟9050 Pro成功超越苹果2023年发表的3纳米芯片A17 Pro。与前代麒麟9030 Pro相比，其多核心效能提升约20%，图形效能大幅增长39%，神经网络处理单元吞吐量更暴增约150%。华为官方测试显示，在性能相近的情况下，新芯片的功耗显著降低。

尽管技术出现突破，华为最新芯片在整体效能上仍落后苹果最新的2纳米A20 Pro约30%，单核效能则接近台积电较旧的4纳米制程。

伯恩斯坦认为，这是一次被低估的突破，证明透过架构创新也能取代传统制程微缩，带动半导体进步。不过报告也强调，3D堆叠技术若要进入大规模商业量产，后续仍须克服良率提升与散热控管等工程挑战。