Специалисты НПЦ БАСиРТК приступили к выполнению СЧ НИОКР "Работа по анализу разрушений MOSFET или IGBT-транзисторов для высоковольтных источников питания, преобразователей частоты и силовых выключателей".

Целью работы является определение принципиальных решений и номенклатуры применяемых комплектующих изделий при разработке и производстве инвертеров для БАС.

@uas_development