Первый день научной встречи проходит на Университетской набережной, 5. Здесь ученые представляют доклады и обсуждают актуальные вопросы физики сегнетоэлектриков и родственных материалов.
В центре внимания – исследования доменной структуры сегнетоэлектриков, новые многофункциональные материалы, закономерности искажений в перовскитах, спектроскопические методы и современные направления применения сегнетоэлектриков и диэлектриков в микроэлектронике.
17 и 18 сентября программа продолжится в ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, где состоятся устные и стендовые доклады.
В приветственном слове президент РТУ МИРЭА академик Александр Сигов отметил:
«Желаю участникам успешной работы. Сегодня особенно важно обеспечить научный обмен результатами, обсудить новые идеи и подходы, которые определяют дальнейшее развитие физики сегнетоэлектриков».