Совсем недавно в Москве завершилась 6-я международная конференция «Фундаментальные проблемы сверхпроводимости-2025», которая проходила с 29 сентября по 4 октября 2025 года. Активное участие в работе конференции приняли профессора, преподаватели и сотрудники кафедры ФТТиН: А.П. Менушенков, В.С. Высоцкий, С.В. Покровский, И.В. Мартиросян, Д.А. Абин и многие другие.

Нам бы хотелось на страницах канала нашей кафедры поделиться с Вами наиболее яркими выступлениями коллег.

В самый первый день конференции на сессии, посвященной памяти М.И. Еремца, с устным докладом «Электронный механизм спаривания носителей заряда в реальном пространстве в высокотемпературных сверхпроводниках (ВТСП) на основе BaBiO₃» выступил д.ф.-м.н., профессор кафедры ФТТиН А.П. Менушенков (фрагменты выступления можно увидеть на фотографиях).

В докладе представлены экспериментальные результаты, полученные на синхротронных источниках и Европейском рентгеновском лазере на свободных электронах и указывающие на то, что механизм сверхпроводимости в семействе висмутатов (BaPb₁₋ₓBiₓO₃ и Ba₁₋ₓKₓBiO₃) в корне отличается от механизма сверхпроводимости в традиционных низкотемпературных сверхпроводниках (НТСП), описываемого теорией Бардина-Купера-Шрифера (БКШ). Впервые удалось показать, что спаривание носителей заряда (электронов и дырок) происходит не в импульсном, как в БКШ, а в реальном пространстве, и механизм спаривания не требует участия фононов, то есть имеет не фононную, а электронную природу. Более того, удалось установить причины возникновения электронного притяжения в электронном механизме спаривания, ответив на вопрос, поставленный еще в ранних теоретических работах. Большое количество похожих свойств висмутатных сверхпроводников с ВТСП на основе меди позволяет надеяться на построение единой модели механизма высокотемпературной сверхпроводимости.

#новостикафедры #наука #сверхпроводникиВделе