📄 Decoupled Channel and Contact Modulation in α-In2Se3/ZrO2/Hf0.5Zr0.5O2 Dual-Ferroelectric Field-Effect Transistor

📝 ترانزیستور اثر میدانی دوگانه فروالکتریک بر پایه α-In2Se3/ZrO2/HZO با مدولاسیون کانال و تماس مجزا برای محاسبات نورومورفیک ساخته شد.

📚 Journal: ACS Nano #ACSNano
📅 Date: 2026-10-11
🔬 Research Article
🔗 10.1021/acsnano.6c13869

🏷 ferroelectric field-effect transistor · α-In2Se3 · HZO · neuromorphic computing · synaptic plasticity