📄 Ultrahigh Responsivity and High-Detectivity Lateral GaN Ultraviolet Nanogap Field-Emission Photodiodes

📝 فوتودیودهای گسیل میدانی نانوشکاف GaN پاسخ‌دهی فوق‌بالای 2.21×10^7 A/W و آشکارسازی 5.0×10^14 Jones در UV نشان می‌دهند که ناشی از اثر فوتوولتاژ سطحی است.

📚 Journal: Nano Letters #NanoLetters
📅 Date: 2026-10-09
🔬 Research Article
🔗 10.1021/acs.nanolett.6c02852

🏷 GaN photodiode · field emission · UV photodetector · nanogap · surface photovoltage