📈 Производство микросхем. Производственное оборудование. Тренды

ASML и крупнейшие производители микросхем начинают переход на 12-дюймовые маски для High-NA EUV

7 сентября 2026 года, накануне конференции SPIE Bacus, ASML и TSMC объявили о создании отраслевой инициативы по переходу на 12-дюймовые фотомаски для High-NA EUV-литографии. К инициативе уже присоединились Samsung и другие крупные игроки отрасли, а SK Hynix рассматривает возможность участия

High-NA EUV (числовая апертура 0,55 против 0,33 у обычного EUV) позволяет печатать более компактные узлы, но требует либо уменьшения поля экспозиции, либо перехода на более крупные маски.

Текущие 6-дюймовые маски (150 мм) ограничивают площадь чипа примерно на уровне 858 кв. мм, а при переходе на High-NA EUV это ограничение становится ещё более жёстким за счет сокращения площади экспозиции.

Переход на 12-дюймовые маски (300 мм) решит проблему «сшивки» (stitching) - соединения двух половин изображения на одном чипе. Ожидается, что пропускная способность сканеров High-NA EUV вырастет на 40%, снизятся затраты на производство чипов и упростится их проектирование.

При этом TSMC с 2030 года будет использовать High-NA EUV с существующими 6-дюймовыми масками, а переход на 12-дюймовые маски произойдёт после 2033 года. Intel, как сообщается, уже использует High-NA EUV выборочно в серийном производстве процессоров Panther Lake по технологии 18A.

ASML планирует продемонстрировать пилотную линию с более крупными масками к 2031 году и подготовить новую технологию к крупносерийному производству к 2033 году.

✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max