🇰🇷 Производство памяти. Новые технологии. Аналитика. Конкуренция. Корея

Samsung представила 3D-память для ИИ: zHBM, zNAND-O и V10 BV-NAND
 
На конференции Future of Memory and Storage (FMS) 2026 в Санта-Кларе, Калифорния, Samsung Electronics представила концептуальные модели памяти нового поколения, которые, по заявлению компании, должны кардинально изменить архитектуру ИИ-систем. Мероприятие собрало около 30 экспонатов, демонстрирующих дорожную карту Samsung в области DRAM, NAND и корпоративных хранилищ.
 
zHBM: память над ускорителем
 
Главной новинкой стала zHBM (vertical HBM) - архитектура, в которой высокоскоростная память размещается вертикально непосредственно над ИИ-ускорителем (xPU), а не рядом с ним, как в традиционных решениях. Буква «z» в названии, очевидно, означает использование вертикальной оси (Z) для трёхмерной компоновки.
 
По оценкам Samsung, интерфейс следующего поколения на базе zHBM обеспечит примерно прирост производительности x8 по сравнению с HBM5. Благодаря технологии склеивания пластин (wafer bonding) достигается рост плотности памяти более чем x10, а также повышение энергоэффективности x3 и снижение теплового сопротивления более чем в 2 раза. Кроме того, zHBM поддерживает интеграцию заказных IP-блоков в промежуточный слой между памятью и ускорителем, что позволяет расширять ёмкость и адаптировать архитектуру под конкретные задачи.
 
zNAND-O: для периферийного ИИ
 
Второй концепт - zNAND-O - высокопроизводительное NAND-решение на базе V-NAND, оптимизированное для периферийных (edge) ИИ-сред. Буква «O» означает ориентацию на on-device AI - обработку данных непосредственно на устройстве. Решение разрабатывается в четырёх- и восьмислойной конфигурациях и сочетает высокую пространственную эффективность, улучшенную скорость ввода-вывода и низкую задержку для поддержки ресурсоёмких приложений реального времени.
 
V10 BV-NAND: более 400 слоёв
 
Кроме того, Samsung впервые продемонстрировала V10 BV-NAND - 10-е поколение вертикальной NAND-памяти с новой архитектурой склеивания пластин (Bonding V-NAND) и более чем 400 слоями. Это первая в отрасли V-NAND, преодолевшая рубеж в 400 слоёв. Плотность хранения увеличена примерно на 58% по сравнению с предыдущим поколением V9, при этом улучшены производительность чтения/записи и энергоэффективность.
 
Рынок памяти: $1 трлн в 2026 году
 
Samsung конкурирует с SK Hynix и Micron за лидерство на рынке памяти и выгодные контракты с ИИ-гигантами. Во втором квартале 2026 года Samsung зафиксировала рекордную операционную прибыль, чему способствовали продажи памяти.
 
По данным Counterpoint Research, глобальная выручка от продаж полупроводниковой памяти в 2026 году достигнет около $975 млрд - $1 трлн, что в 4,2 раза больше, чем в 2025 году ($360 трлн вон). Драйвером роста выступает беспрецедентный спрос со стороны ИИ-дата-центров на фоне ограниченного предложения. Samsung также раскрыла, что долгосрочные контракты с клиентами могут составить 60–70% её продаж памяти.

✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max