🇷🇺 Микроэлектроника. Дискретные полупроводники. Мощные транзисторы. GaN. Россия

НИИЭТ выводит на рынок два мощных GaN-транзистора
 
Воронежский НИИ электронной техники (ГК Элемент) анонсирует выпуск мощных СВЧ-транзисторов на основе нитрида галлия для применения в усилителях мощности радиоэлектронной аппаратуры.
 
Новые транзисторы ТНГ 131005‑28 и ТНГ 60005‑28П рассчитаны на напряжение питания 28 В и обеспечивают выходную мощность более 10 Вт.
 
ТНГ 131005-28 в традиционном металлокерамическом корпусе оптимизирован по работу в Ku-диапазоне – выдает непрерывную выходную мощность более 10 Вт на частотах до 13.5 ГГц (отмечу, что речь - не о пиковой мощности). При этом транзистор показывает коэффициент усиления Кур ≥ 13 дБ и КПД до 50% - это высокие параметры для дискретных транзисторов в корпусе.
 
Проектируя ТНГ 60005‑28П старались сделать его меньшим по площади, пригодным для групповой сборки печатных плат методом поверхностного монтажа. Но и его рабочие частоты сравнительно высокие – 6-8 ГГц, опять же, при мощности более 10 Вт. В итоге получился прибор размером 3х3 мм в металлополимерном корпусе DFN3x3-6L. Коэффициент усиления Kур ≥ 17,4 дБ (в том числе, за счет меньших паразитных емкостей и индуктивностей корпуса), опять же, выше, чем у аналогов. Заявленный КПД ≥ 56%.

При рабочем напряжении в 28 В, запас приборов по напряжению - до 130 В.
 
Где можно применять такие приборы?

В усилителях мощности передатчиков (например, в радиомодулях базовых станций сотовой связи), в радиолокационных станциях, в системах радиоэлектронной борьбы и т.п.
 
Развитие GaN‑направления в Группе компаний «Элемент» соответствует стратегическим приоритетам отечественной электронной промышленности. Технология на основе нитрида галлия официально признана ключевой в рамках Стратегии развития электронной промышленности России до 2030 года, и работа института в этом сегменте служит одним из практических примеров реализации обозначенных целей. ||

✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК