🇰🇷 Вести из лабораторий. Новые транзисторы. Корея

В Южной Корее экспериментируют с комбинацией оксида цинка ZnO и теллура Te

Эти материалы, во-первых, можно наносить тонкими пленками при температуре ниже 200 °C, что важно, например, при доработке готовых чипов.

📌 А во-вторых на их основе создан гетеропереходный транзистор с двойной отрицательной дифференциальной крутизной (D-NDT). При росте напряжения на затворе такой транзистор вначале дает рост тока, затем ток уменьшается, причем процесс происходит дважды (за один период входного сигнала формируется четыре выходных импульса, то есть транзистор работает как умножитель частоты на 4), что позволяет на одном транзисторе выполнять функции, которые обычно требуют несколько компонентов (корейцы сообщают о возможности сокращения на 64-75%).

На базе этого устройства команда, в частности, сформировала четырехполюсник, преобразующий 1 входной сигнал в 4 выходных. D-NDT прочат практические применения, в частности, с перспективой ускорения вычислений.

Детальнее: https://www.researchgate.net

Интересно, что корейцы не взялись объяснить полученный эффект D-NDT, но желающие нашлись. В сети есть спорный текст: https://doi.org/10.5281/ZENODO.19634565 . Его автор предлагает свое объяснение наблюдаемого корейцами эффекта, делая это с привлечением теории, согласно которой время в транзисторе течет неравномерно, а "неровными шагами". Несмотря на то, что выглядит он как научный, я бы не спешил верить в это объяснение. Наверняка найдутся и другие желающие пояснить наблюдаемые эффекты, с версиями, более «стыкующимися» с современным состоянием науки, например, связав явления с квантовым туннелированнием.

В любом случае у нас есть эффект, и, предположительно, он может найти полезные применения.

((картинки - авторов исследования, источник -  Advanced Functional Materials))

✓ подписаться на RUSmicro,
✓ наши новости можно читать также на MForum и в ВК