(2) 🇨🇳 Микроэлектроника. Производство полупроводников. GaN для телекома. 5G/6G. Китай

Продолжу тему деталями общей картины активностей в области нитрида галлия в других странах:
 
🇺🇸 В США GaN-компоненты предлагают компании Qorvo, Wolfspeed и Microchip. Они используются в радарах и в системах спутниковой связи. Intel Foundry Services объявила о крупном технологическом прорыве - разработке и изготовлении «самого тонкого в мире» чиплета из нитрида галлия (GaN-on-Si). Толщина кремниевой подложки уменьшена до 19 мкм.
Есть любопытный факт партнерства американской onsemi с китайской Innoscience. В декабре 2025 года подписано соглашение этих компаний о совместной разработке GaN-технологий низкого и среднего напряжения, начиная с устройств на 40-200 В. Цель партнерства – объединить опыт onsemi в области интегрированных систем с 8-дюймовой GaN-технологией Innoscience для поддержки продуктов для промышленного применения, автомобильной промышленности, телекоммуникационной инфраструктуры, потребительских товаров и центров обработки данных с использованием ИИ.
 
🇯🇵 В Японии рынок RF GaN хорошо развит – Mitsubishi Electric, например, выпускает усилитель мощности 7 ГГц для БС 5G Advanced. NTT Advanced Technology (NTT-AT) занимается производством эпитаксиальных пластин GaN-HEMT.
 
🇰🇷 В Корее разрабатывают как силовые полупроводники GaN, так и интегральные схемы MMIC. Компания IVWorks – единственный в стране производитель эпитаксиальных платин GaN-HEMT привлекла $4.5 млн для расширения рынка для своих продуктов, в частности, с ориентацией на спутниковую связь.
 
🇹🇼 Тайвань ведет активные исследования в области GaN-компонентов для 6G и спутниковой связи. TSMC лицензирует свои наработки в этой области, например, компании ROHM. В 2024 году было объявлено о стратегическом партнерстве для разработки автомобильных и телекоммуникационных GaN-устройств. Можно вспомнить о WIN Semi, одном из тайваньских разработчиков GaN HEMT – изделий. Тайваньская компания VIS лицензировала технологию GaN-on-QST.
 
🇪🇸 Испания. Sener координирует проект SGAN-Next по разработке европейских чипов GaN для спутников, как низкоорбитальных, так и геостационарных. Проект поддерживает Еврокомиссия в рамках программы Horizon Europe.
 
🇸🇪 Швеция. SweGaN и Ericsson сотрудничают в разработке GaN-усилителей для 6G. В 2025 году они запустили проект GaN6G+, направленный на создание высокоэффективных усилителей мощности для 6G в диапазоне 7–15 ГГц (X/Ku-диапазоны).

🇩🇪 Германия. Fraunhofer IAF разрабатывает высокочастотную электронику GaN для телекома 5G/6G, радаров и спутниковой связи. Институт фокусируется на компонентах и модулях, включая HEMT и MMIC для усилителей мощности, малошумящих усилителей и переключателей.
 
🇮🇳 Индия. Здесь создан первый в стране фаб по производству GaN-чипов (Polymatech Electronics), есть лаборатория тестирования GaN-чипов (AGNIT) и разработка чипов для ВПК (DRDO). Индийская инженерно-технологическая компания Cyient (штаб-квартира в Хайдарабаде) объявила о разработке семейства силовых интегральных схем на основе нитрида галлия (GaN), созданных по технологиям американской Navitas.
 
🇮🇱 Израиль – заметный участник рынка GaN.
 
🇬🇧 Великобритания с ее компанией IQE – заметный участник рынка GaN.
 
🇨🇦 Канада с ее GaN Systems – заметный участник рынка GaN.
 
В целом рынку телекома прочат массовый переход на GaN-чипы, например, аналитики PWC. Ключевой стратегией всех крупных игроков стал стремительный переход с пластин GaN диаметром 150 мм на 200 мм и даже 300 мм. Еще 4–5 лет назад стандартом были 100 мм, а сегодня уже и 150 мм считается устаревшим.

С учетом всех этих фактов и мнений - активность Китая по части GaN полупроводников, включая микросхемы, понятна и логична.

✓ подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также на MForum и в ВК