(3) Фотоника. Встречи. Россия

Иванов Виктор Владимирович, МФТИ, Физтех, определил «Возможные применения методов аэрозольной печати в создании оптоэлектронных устройств». «Аддитивный подход формирования микроструктур на поверхности отличается хорошей экономикой за счет сокращения операций и материалов». Три типа продуктов сухой аэрозольной печати: каталитические слои (рыхлые структуры), геттеры для корпусирования микросхем и плазмонные слои, а также монолитные линии. К актуальным задачам относится: разработка технологий прямой печати непосредственно на платах транзисторов, индуктивных элементов, резисторов и др. Разработка технологий прямой печати фоточувствительных слоев фотодетекторов, активных светоизлучающих слоев дисплеев, прозрачных электродов. Разработка высокопроизводительного принтера сухой аэрозольной печати. Подложка может быть пятиосевой для представленного метода печати.
 
Третье пленарное заседание открыл Ременный Максим Анатольевич, ФТИ, с обзорным докладом «Средневолновые и длинноволновые ИК фотодиоды на основе InAs, InAsSb и InAsSbP, созданные в ФТИ им. А.Ф. Иоффе» в рамках которого обрисовал проведенные в институте работы и перспективные разработки. В том числе продемонстрирована динамика, например, улучшение обнаружительной способности, существенный прирост чувствительности и пр. Самая востребованная на сегодняшний день - «флип-чип» конструкция с иммерсионным сопряжением; и наибольший интерес представляет длина волны 4,2 мкм, где осуществляется детектирование СО в различных химических датчиках. Разработана различная компонентная база, электроника, корпуса, линзы, и законченные изделия. «Получили лучшие значения по соотношению обнаружительной способности к газу к энергопотреблению датчика, это следствие того, что наши светодиоды являются эффективными источниками инфракрасного излучения».
 
С вопросами: «Как получить соответствующий слой, как он влияет на электронный спектр и как такую структуру проконтролировать» осветил тему «Полупроводниковые сверхрешетки InAs/GaSb с интерфейсной компенсацией упругих напряжений для оптоэлектронных применений» Кривобок Владимир Святославович, ФИАН. С помощью МЛЭ отработана процедура формирования InAs/GaSb и GaSb/InAs интерфейсов, содержащих переходный слой In(As)Sb. Показано, что край фундаментального поглощения сверхрешеток при температурах 77-150К расположен в диапазоне 910-820 см-1 (11.0-12.2µm). Разработаны методы локального контроля короткопериодных сверхрешеток, основанные на гиперзвуковой микроскопии субтерагерцового диапазона.

Потатуркин Олег Иосифович выступил по теме «Методы и программно-алгоритмическое обеспечение детектирования объектов на изображениях реальных сцен по спектральным и пространственным признакам». Были продемонстрированы изображения различных сцен в различных спектральных интервалах, методы машинного обучения, обнаружение и распознавание разномасштабных объектов, в том числе нейросетями, также обнаружение объектов, наблюдаемых с ЛА и применение нейронных сетей для обнаружения малоразмерных объектов на фоне Земли. Более того: система лазерной импульсной локации, обнаружение оптико-электронных приборов наблюдения и световозвращающих объектов (в том числе в сложных условиях).

Альков Павел Сергеевич, в работе «Перспективные УФ оптико-телевизионные системы» рассказал о разработке УФ-фотоприемников различного типа, работающих в солнечно слепых диапазонах длин волн и видимо-слепых, также о разработке для аппаратуры космического базирования. Приведены особенности объектива переноса изображения для блока камер поля Спектр-УФ.

Впереди у участников Конференции еще 2 дня докладов, дискуссий и знакомств. ||

((фотографии с мероприятия))

✓ подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также на MForum и в ВК