🇷🇺 Фотоника. Встречи. Россия

В Москве открылась XXVIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и системам технического зрения
 
Мероприятие проводит гос. научный центр РФ АО НПО Орион при поддержке Минпромторга РФ, Минобрнауки РФ, госкорпорации Ростех, холдинга АО Швабе, ФПИ, Русского оптического общество, Лазерной ассоциации.
 
27 мая было посвящено актуальным направлениям развития фотоэлектроники.
 
Зам. гендиректор АО НПО Орион по инновациям Игорь Дмитриевич Бурлаков представил обзор эпох развития и анализ ближайших перспектив и направлений инфракрасной фотоэлектроники.
 
Генеральный конструктор АО ЦНИИ «Электрон» Татаурщиков Сергей Сергеевич представил доклад о разработке и создании отечественных КМОП фотоприемников в АО «ЦНИИ «Электрон» и отметил важность совершенствование технологии в сторону повышения проектных норм до 30-60 нм (что улучшает разрешающую способность, быстродействие, чувствительность), а также переход технологии КМОП-фотоприемников на конструкцию с обратной засветкой «back-side».
 
Гуляев Дмитрий Владимирович из Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН Новосибирска в своем докладе «InAs/GaSb сверхрешетки для ИК фотоприемников» представил обзор последних достижений. В том числе была продемонстрирована возможность in-situ контроля качества интерфейсов InSb для T2SL InAs/GaSb и изготовлены тестовые образцы, измерены типичные характеристики ФПУ на основе T2SL на GaAs (001), выращенных в условиях промышленной МЛЭ технологии.
 
Болтарь Константин Олегович (начальник научно-технического центра ГНЦ РФ НПО «Орион» холдинга «Швабе» Госкорпорации Ростех) выступил c докладом «Перспективы развития твердотельной фотоэлектроники в ГНЦ РФ АО «НПО «ОРИОН». Докладчик подробно рассказал об основных технологиях фоточувствительных материалов (КРТ, InSb, xBn, T2SL, QWIP, InGaAs, ККТ, микроболометры), алгоритмах обработки сигнала для существенного улучшения качества изображения и новых перспективах отечественной фотоэлектроники. Подчеркнута необходимость создания как малогабаритных фотоприемных модулей средневолнового ИК диапазона спектра, так и создания фотоприемных модулей длинноволнового ИК диапазона спектра. Идут работы по выращиванию XBn-структур на основе сурьмы и изготовление матричных ФПУ на их основе. Приведены nBn-структуры на основе сверхрешетки HgTe/CdHgTe MWIR-диапазона и характеристики МФЧЭ с барьером на основе сверхрешетки HgTe/CdHgTe, показаны изображения, полученные с помощью МФПУ и камер коротковолнового ИК-диапазона спектра и многое другое. К вызовам сегодняшнего дня отнесены уменьшение шага матрицы и проблема сжатия изображения. (..)