🇨🇳 Широкозонные полупроводники. Тренды. Китай

Рынок SiC и GaN в Китае демонстрирует интересные тренды

Рынок широкозонных полупроводников Китая в первом квартале 2026 года показал заметную разницу в успехах компаний, работающих в области таких ключевых материалов, как нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC).

Напомню - основное различие между GaN и SiC заключается в их физических свойствах: GaN обеспечивает значительно более высокую скорость переключения, а SiC выдерживает более высокие рабочие напряжения. Однако их объединяет общая черта - оба относятся к классу широкозонных полупроводников, что дает им фундаментальное превосходство над традиционным кремнием по части эффективности и термостабильности, особенно в силовой электронике и радиочастотных применениях.

GaN

Сегмент показывает рост за счет востребованности в радиооборудовании сетей 5G и спутникового интернета. 

Сектор GaN RF переживает настоящий бум за счет массированного развертывания инфраструктуры 5G. Китайские операторы перешли к фазе уплотнения сетей 5G-Advanced, а проникновение усилителей мощности на базе GAN-сборок в базовые станции нового поколения растет, что позволило загрузить мощности производителей почти до предела.

Дополнительным фактором роста стал спутниковый интернет: госпроекты по созданию низкоорбитальных группировок обеспечили стабильный приток оборонных заказов.

На этом фоне Sinopack (дочерняя компания Hebei Sinopack Electronic Technology) нарастила квартальную выручку на 79,05% год к году до более, чем 10 млрд юаней за квартал - за счет поставок GaN-компонентов для БС и спутниковых терминалов.

Производитель оборудования AMEC зафиксировал рост чистой прибыли на 197,2%, а его установки MOCVD для выращивания GaN-слоев, занимающие лидирующую долю на внутреннем рынке, остаются крайне востребованными - воронка заказов заполнена. (..)

✓ подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также на MForum и в ВК