TGViewer
RUSmicro RUSmicro @rusmicro · 5.77K subscribers
Post #8015 1.23K
🇰🇷 Горизонты технологий. DRAM. Корея

Samsung представила кристалл DRAM, созданный по техпроцессу менее 10-нм

Если классическая ячейка памяти DRAM строится по схеме 6F², где F - минимальный достижимый технологический размер, его еще называют feature size. Такая ячейка имеет вытянутую прямоугольную форму: 3F и 2F. Каждая такая ячейка занимает площадь 6F², например, 3F × 2F.

При уменьшении F ниже 10 нм такую ячейку становится сложно изготовить: соседние элементы начинают мешать друг другу, растут утечки тока, падает надёжность.

В этой ситуации Samsung разработал квадратную ячейку 4F² (2F × 2F).

Это обещает экономию площади от 30 до 50%, если сравнивать с 6F². А в итоге на той же площади кристалла помещается больше бит информации. Кроме того, за счет более равномерного распределения электрических полей снижаются утечки и паразитные взаимодействия между соседними ячейками.

Но это только звучит просто - перейти с прямоугольной на квадратную ячейку, разработчику пришлось освоить новый транзистор управления ячейкой. Если в прямоугольной ячейке транзистор располагается горизонтально, на той же плоскости, что и конденсатор, то при переходе к квадратной ячейке меньшего размера места для горизонтального транзистора уже не остается. Поэтому Samsung применила в новинке вертикальный канальный транзистор (VCT), поставив его «на ребро» для экономии площади.

В затворе VCT использован материал, известный как IGZO (оксид индия - галлия - цинка) вместо «классического» поликремния. Для этого материала характерны сверхнизкие токи утечки.

Все эти нововведения в совокупности обеспечивают:

▫️ более высокую плотности хранения на 30-50% без перехода на более сложные (и дорогие) технологии литографии;
▫️ снижение энергопотребления за счет меньших паразитных емкостей;
▫️ сохранение или улучшение скорости доступа за счет более коротких проводников

Меньше площадь - больше емкость микросхемы, выход на терабитные микросхемы. До этого, конечно, Samsung должен научиться масштабировать технологию, наладить опытное, а затем серийное производство.

В целом 4F² - не топовый продукт, а, скорее, возможность на несколько лет отодвинуть переход к 3D-упаковке DRAM.

✓ подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также
на MForum и в ВК
  • 👍 5
  • ❤ 2
More from @rusmicro
  1. Oct 5, 2026🇳🇱 ASML делает ставку на дальнейшее развитие лазерно-плазменных источников EUV, несмотря…
  2. Oct 5, 2026🇷🇺 Форум Микроэлектроника 2026. Анонсы. Россия Швабе представила новое поколение матриц…
  3. Oct 4, 2026🇷🇺 Производство микроэлектроники. Новые фабрики. 14нм. Россия ОМК планирует построить 3…
  4. Oct 2, 2026🇷🇺 Регулирование. Неналоги. Россия Поступления от техсбора на электронику дадут бюджету…
  5. Oct 1, 2026🇷🇺 Форум Микроэлектроника 2026. Анонсы. Россия «Активная Фотоника» и «ПЛАНАР» объединяют…
  6. Oct 1, 2026🇷🇺 Форум Микроэлектроника 2026. Анонсы. Россия «Трамплин Электроникс» и «Норси-Транс» по…
Threads Profile ViewerView any public Threads profile without an account.Open ThreadLook →Writing with AI? Make it sound human.Metric37 rewrites AI drafts so they read naturally. Free AI detector, 1,500 words free.Try Metric37 →