🇰🇷 🇺🇸 Передовые разработки. Ферроэлектрическая память. Корея. США

Nvidia подключилась к разработкам Samsung ферроэлектрической NAND-памяти

На днях исследователи из Samsung Semiconductor Research, Nvidia и Технологического института Джорджии представили модель Physics-Informed Neural Operator (PINO) – систему на базе ИИ, анализирующую производительность ферроэлектрической NAND более чем в 10 000 раз быстрее традиционных методов.

Если ранее с помощью TCAD одно моделирование занимало около 60 часов, то теперь процесс сократился до 10 секунд. Ожидается, что в результате моделирования будут найдены оптимальные параметры памяти, не связанные с проблемами использования.

Ферроэлектрическая NAND использует материалы, сохраняющие поляризацию без внешнего электрического воздействия. По данным Samsung, такая память способна снизить энергопотребление микросхемы до 96% по сравнению с обычной NAND. Компания рассматривает технологию как ключ к масштабированию: текущий уровень – 200-300 слоёв, а цель - достичь 1000 слоёв к 2030 году.

Почему Nvidia решила помочь Samsung?

Причин несколько, во-первых, Nvidia покупает у Samsung значительные объемы памяти, вероятно даже является крупнейшим клиентом в этой области. И поскольку Nvidia зарабатывает на ИИ-чипах и ИИ-ускорителях, то энергоэффективность (ключевой сейчас вопрос для развития ИИ) ее очень волнует. Во-вторых, Samsung весьма продвинулся по количеству патентов, связанных с ферроэлектрическими материалами (255 патентов за 12 лет), поэтому если кто и разработает что-то годное для коммерческого использования – это, с немалой вероятностью, будет Samsung.

Если такая FeNAND появится в ближайшее время, это дало бы неплохое ускорение в плане создания все более сложных моделей ИИ.

✓ Где еще можно читать новости RUSmicro