🇳🇱 Фотолитографы. Нидерланды

ASML добилась удвоения мощности источника света в EUV-машинах

Это сулит серьезный рост производительности при производстве наиболее передовых микросхем.

Мощность источника удалось поднять с 600 Вт до 1 кВт (ок, не удвоила, лишь почти удвоила).

Как этого удалось достичь?

В EUV-машинах излучение 13.5 нм создает плазма олова. Чтобы создать плазму, в вакуумной камере поток из капель расплавленного олова обстреливают мощным лазером.

Для увеличения мощности в ASML удвоили частоту подачи капель - до фантастичных 100 тысяч капель в секунду. Кроме того, теперь используют ни один лазерный импульс на каплю а два. Первый придает капле нужную форму, второй - превращает ее в плазму. Так удается получить больше энергии.

Это не эксперимент, в ASML говорят о том, что это полностью работоспособная система, готовая к использованию в производстве.

Как это скажется на производительности фотолитографов EUV?

Если сейчас они могут выдавать по 220 пластин в час, то к 2030 году производительность, как ожидается, вырастет до 330 пластин в час.

Это значит, что можно будет нарастить объемы выпуска полупроводниковых пластин почти на 50%, без необходимости строительства новых фабрик и дорогостоящих "чистых комнат". Это обещает снижение себестоимости чипов, что принципиально важно для таких гигантов отрасли, как TSMC, Intel и Samsung.

В ASML планируют предложить своим клиентам специальные "пакеты обновления", которые позволят интегрировать новую технологию в закупленные ими ранее системы.

А еще в ASML знают как достичь мощности в 1500 Вт. Более того, по словам ученых, нет фундаментальных ограничений для выхода на 2000 Вт. Это означает, что "традиционные" источники света для литографов еще поживут и даже позволят продолжить развитие технологии. Что позволит не спешить с переходом на куда более громоздкий и сложный подход, в основе которого - использование ускорителей частиц.

Это, конечно, не отменит стремления США (Substrate и xLight), Китая и России создать собственные фотолитографы для техпроцессов ниже 10 нм и ниже 1нм.

@RUSmicro