📈 Новые материалы. Аналитика. Межсоединения. Рутений

(2) Межсоединения следующего поколения

Ниже 7 нм медные межсоединения становятся ненадёжными: они истончаются, сигналы по ним проходят медленнее, они быстрее выходят из строя из-за электромиграции. Дополнительные барьерные слои предотвращают утечку меди, но ещё более сужают проводники.

Более эффективное решение — заменить медь на рутений (Ru) или покрыть её тонким слоем этого металла. Рутений почти не требует барьерных слоев, обеспечивает протекание тока даже в линиях наномасштабных размеров и дольше сопротивляется износу дольше.

Поскольку растет востребованность технологий ниже 5нм, у рутениевых межсоединений есть все шансы стать стандартом для следующего поколения высокопроизводительных процессоров.

@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond