(2) Панорама тестирования полупроводниковых изделий

Среди этапов тестирования полупроводниковых изделий наибольшую корреляцию с повышением выхода годных демонстрирует именно тестирование пластин. В отличие от тестирования упакованных кристаллов, которое проводится на поздней стадии, тестирование пластин позволяет обнаружить дефекты на уровне отдельно взятых кристаллов, предотвращая продвижение бракованных компонентов далее по технологическому маршруту.

В многокристальных изделиях даже единственный дефектный кристалл может сделать весь модуль непригодным к использованию, что подчеркивает важность раннего обнаружения дефектов.

Поскольку толщина пластин продолжает уменьшаться, традиционные контактные методы тестирования сталкиваются с ограничениями, стимулируя переход к бесконтактным оптическим методам диагностики (например, OCT, инфракрасной диагностики).

Дополнительно, по мере снижения размеров топологических норм (уменьшения размеров кристаллических структур) зондовые щупы (Probe Card) становятся компактнее, что позволяет проводить точные электрические испытания, дополнительно улучшая процент выхода годных изделий и повышая эффективность производства.

@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond