消息称三星将采用台积电 3nm 制程为英伟达生产 HBM 基底裸片

三星电子将采用台积电 3 纳米制程为英伟达下一代定制 HBM 芯片生产基底裸片，这是三星首次在 HBM 制造阶段与台积电合作。英伟达已要求三星、SK 海力士、美光采用台积电工艺制造 NVHBM 基底裸片，以第六代 DRAM 技术制造核心芯片，今年 8 月发布的 NVHBM 将英伟达定制内存控制器集成到基片中，旨在实现跨多家内存供应商的标准化实施。三星经内部评估后接受该要求，同时计划继续以自主生产模式生产标准 HBM 及面向其他客户的定制产品，还在评估若需求超出台积电产能，其自有代工厂是否可生产 NVHBM 基底裸片。

媒体报道
报道：三星将采用台积电技术为英伟达生产下一代内存芯片 华尔街见闻
三星将与台积电共同生产英伟达下一代定制 HBM，基底芯片采用 3nm 工艺 techflowpost.com
三星将采用台积电技术为英伟达生产下一代内存芯片 格隆汇

事件追踪
2026-10-18 消息称三星将采用台积电 3nm 制程为英伟达生产 HBM 基底裸片
2026-10-08 三星电视拟 2027 年起采用华邦电子 DRAM 占比约五成
2026-09-29 三星电子高管：明年 HBM 将占 DRAM 芯片制造商总晶圆产能的近 30%
2026-09-15 三星电子或推行「双轨制程」HBM 生产战略
2026-09-15 台积电产能吃紧：曝高通与三星重启 2nm 代工谈判，骁龙 8 Elite Gen 6 订单存不确定性
2026-09-08 消息称三星将超半数 4 纳米产能投入 HBM4 基础裸片生产
2026-08-31 三星正为英伟达开发 8 层 HBM4E
2026-07-27 进一步增强逻辑性能：三星电子计划在 HBM5 内存导入 2nm 基础裸片
2026-06-30 消息称三星电子加速 1.4nm 先进制程研发，深化与应材、泛林合作
2026-05-05 英伟达九成生产成本来自亚洲供应商，AI 产能争夺加剧

#热门话题