Об этом рассказал глава РАН Геннадий Красников в ходе научного доклада на Российском форуме «Микроэлектроника 2026», проходящем в «Сириусе» при поддержке Российской академии наук.
По словам учёного, классическая кремниевая микроэлектроника подошла к пределу возможностей простого уменьшения топологических размеров. Если планарные транзисторы масштабировались вплоть до технологических норм 28 и 22 нм, то на смену им пришли FinFET (МОП-транзистор с трёхмерной структурой), которые позволили освоить диапазон от 22 до 5/3 нм.
«Для специалиста топологические размеры говорят не так много. Гораздо важнее, какая конкретно технология воспроизводится по этому топологическому размеру», — отметил академик.
Отвечая на вопрос о перспективах российской отрасли, Геннадий Красников подчеркнул, что прогноз во многом зависит от объёмов финансирования и государственной политики. По его оценке, к 2030–2031 году Россия может выйти на уровень 28 нанометров, а ещё через два года — перейти на 14 нанометров при сохранении активных темпов инвестирования в отрасль.
Подробнее читайте на сайте РАН.
✦ Российская академия наук в MAX