‍ 🟠طراحی متداول برای محدود کردن اسپین الکترون‌ها در سیستم‌های کیوبیت اسپین نیمه‌رسانا🟠

📌این تصویر شش طراحی متداول برای محدود کردن اسپین الکترون‌ها در سیستم‌های #کیوبیت_اسپینی_نیمه‌رسانا را نشان میدهد که به نحوه محدود کردن سه‌بعدی الکترون‌ها می‌پردازد:

1️⃣شکل(a) طراحی برپایه donorها: الکترون‌ها توسط پتانسیل کولنی یک اتم ناخالصی محدود و با گیت‌ها کنترل می‌شوند.

2️⃣شکل(b) طراحی برپایه مد تخلیه‌: در آزمایش‌های اولیه GaAs برای ایجاد #نقاط_کوانتومی با تخلیه الکترواستاتیکی به‌کار می‌رفتند.

3️⃣شکل(c) طراحی یرپایه SiMOS: کنترل دقیق الکترون‌ها در سطح Si/SiO₂ با گیت‌های همپوشان.

4️⃣شکل(d) طراحی برپایه Si/SiGe: استفاده از چاه کوانتومی مدفون برای محدود کردن الکترون‌ها.

5️⃣شکل(e) طراحی برپایه SLEDGE: گیت‌های تک‌لایه و etching شده (اچینگ شده) با سیم‌کشی چندلایه برای کنترل بهتر.

6️⃣شکل(f) طراحی برپایه FinFET: ترکیب اچینگ خشک و گیت‌ های الکترواستاتیک برای تعریف نقاط کوانتومی.

🌐برگرفته‌شده از مقاله مروری: Semiconductor Spin Qubits (2023)

Join: @QuantumSTEM

🔵 LinkedIn
_._._._._._._._._._._._._._
#کوانتوم_گرافیک