Современная микроэлектроника стоит на пороге фундаментального барьера. Технология литографии с длиной волны 13,5 нм, используемая сегодня для производства чипов по нормам 5, 4 и 3 нм, приближается к пределу своих возможностей. К 2030 году отрасль упрется в физический предел: классические оптические системы с этой длиной волны уже не смогут обеспечить стабильное воспроизведение топологии с шагом менее 8-10 нм. Однако выход есть — и он лежит в плоскости перехода к так называемой «жесткой» или «дальней» ультрафиолетовой области (Beyond EUV). Именно здесь Россия, вопреки санкционному давлению, совершила технологический прорыв, предложив миру концепцию газовой мишени для генерации излучения на длине волны 6,7 нм.

https://dzen.ru/a/agqb-_533yRzLkAV

🤩 в МАХ 💬| ВК 💙