Станкиновские ученые обнаружили мемристорные свойства в структурах на основе металл-оксид-металл материалов

Открытие наших ученых может привести к качественному скачку в области развития искусственного интеллекта и производства микросхем.

Разберёмся по порядку. Мемристор можно назвать новым электронным компонентом, его особенность состоит в том, что он сохраняет внутреннее сопротивление на основе истории приложенного напряжения и тока. Отсюда и название: memory — память, resistor — сопротивление.

Использование мемристорных свойств сегодня необходимо по двум основным причинам: 🖇первая — достижение физического предела в размещении транзисторов в интегральной схеме (то есть на используемых в различных электронных устройствах микросхемах недостаточно места для установления новых транзисторов, через которые проходит ток и соответственно электрический сигнал), 🖇вторая причина — развитие искусственного интеллекта требует увеличение объёма памяти от вычислительных систем, что чревато большими нагрузками на связь между памятью и процессором. Мемристор должен помочь в решении этих задач.

Учёные нашего университета провели ряд исследований, в результате которых был сделан вывод о наличии мемристорных свойств у материалов на основе металл-оксид-металл. Проведённые испытания и изучение функциональных возможностей по изменению сопротивления под действием электрического поля. Структура металл-оксид-металл, предложенная станкиновцами, обладает ярко выраженным гистерезисом и имеет перспективу применения при формировании новых блоков в гетерогенных (неоднородных) и природоподобных системах, построенных для применения в нейронных сетях нового поколения.